最新文章

天岳先进+海信,掘金碳化硅家电市场

作者 |发布日期 2024 年 09 月 02 日 18:09 | 分类 碳化硅SiC
昨日(9/1),天岳先进在官微宣布将与海信集团就SiC(碳化硅)在白色家电领域的应用展开交流,意味着双方未来将共同加快推动SiC技术在白色家电领域的应用进程。 天岳先进介绍,公司董事长宗艳民先生率团于2024年8月30日访问了海信集团,公司家电集团研发技术负责人与海信空调事业部负...  [详内文]

东尼电子、华润微等12家化合物半导体厂商业绩大PK

作者 |发布日期 2024 年 09 月 02 日 18:00 | 分类 产业
近日,12家化合物半导体相关厂商东尼电子、华润微、高测股份、芯联集成、斯达半导体、合盛硅业、江丰电子、中瓷电子、顶立科技、长光华芯、立昂微、通富微电相继发布了2024年上半年业绩。其中,江丰电子、顶立科技实现营收净利双增长。 东尼电子上半年实现营收8.33亿元,正在进行高规格6...  [详内文]

国内沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术有新突破

作者 |发布日期 2024 年 09 月 02 日 17:21 | 分类 功率
据南京发布近日消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。 source:江宁发布 公开资料显示,碳化硅是第三代半导体材料的主要代...  [详内文]

签约、开工、投产,3个化合物半导体项目正在推进中

作者 |发布日期 2024 年 08 月 30 日 18:00 | 分类 产业
近日,3个化合物半导体相关项目披露了最新进展,包括半导体用碳化硅部件材料研发制造基地项目、全芯微电子半导体高端设备研发制造基地以及安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目。 source:梦想惠开 半导体用碳化硅部件材料研发制造基地项目落户江苏无锡 8月27日,据“梦想惠开”...  [详内文]

华为、小米投资,射频芯片厂商昂瑞微再闯IPO

作者 |发布日期 2024 年 08 月 30 日 17:36 | 分类 射频
8月28日,射频、模拟芯片厂家北京昂瑞微电子技术股份有限公司(以下简称“昂瑞微”)在北京证监局办理辅导备案登记,拟公开发行股票并上市,辅导券商为中信建投。据《科创板日报》报道,知情人士透露,昂瑞微大概率想上沪深A,但目前还没最终确定,该公司现阶段的想法是先进入辅导期排队。 值得注...  [详内文]

基本半导体与贺利氏电子达成合作

作者 |发布日期 2024 年 08 月 30 日 15:59 | 分类 企业
8月29日,在深圳举行的PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会上,基本半导体与贺利氏电子举行了战略合作备忘录签约仪式。 据了解,基本半导体从事碳化硅功率器件的研发与产业化,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链...  [详内文]

三安光电、北方华创、闻泰科技等8家企公布半年报

作者 |发布日期 2024 年 08 月 29 日 18:10 | 分类 产业
近日,三安光电、北方华创、闻泰科技、卓胜微、民德电子、拓荆科技、芯导科技以及连城数控8家化合物半导体相关厂商发布了2024年半年度报告。其中,三安光电、北方华创、连城数控、拓荆科技、芯导科技5家企业实现营收与净利润双增长。 三安光电:上半年SiC营收超5亿元 上半年,三安光电实...  [详内文]

重庆三安8英寸碳化硅衬底厂月底投产

作者 |发布日期 2024 年 08 月 29 日 18:05 | 分类 碳化硅SiC
据《重庆新闻联播》报道,在西部(重庆)科学城,总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段,其中,8英寸SiC衬底厂预计本月投产,比原计划提前2个月。 据了解,三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆(芯片)厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂,预计总投资约300亿元人民...  [详内文]

碳化硅争夺战:光伏龙头们已入局

作者 |发布日期 2024 年 08 月 29 日 17:29 | 分类 功率
目前,碳化硅产业发展形势喜人,跨界布局碳化硅业务的玩家众多,包括长城汽车、吉利汽车等车企以及三安光电、博蓝特等LED厂商,除车企和LED厂商外,部分光伏厂商已成为跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龙头跨界布局碳化硅 据集邦化合物半导体观察,通威集团、合盛硅业、弘元绿能、高测股份、捷...  [详内文]

鸿海与阳明交大实现氧化镓新突破

作者 |发布日期 2024 年 08 月 28 日 18:17 | 分类 产业
日前,鸿海科技集团宣布旗下鸿海研究院半导体所所长暨阳明交通大学讲座教授郭浩中及半导体所研究团队,携手阳明交大电子所洪瑞华教授团队,在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破。研究成果提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3)在高压、高温应用领域的高压耐受性能,并已发表于国际顶级材...  [详内文]