最新文章

江苏集芯取得两用碳化硅晶片倒角机专利
作者 |发布日期 2025 年 02 月 21 日 15:44 | 分类 碳化硅SiC
近期，江苏集芯先进材料有限公司成功获得了一项名为”两用碳化硅晶片倒角机”的专利，根据国家知识产权局的消息显示，该专利的申请日期为2024年5月，授权公告号为CN222493441U。 专利摘要显示，本实用新型公开了一种两用碳化硅晶片 倒角机，包括：转轴，转...  [详内文]

第三代半导体设备厂商思锐智能拟A股IPO
作者 |发布日期 2025 年 02 月 21 日 11:09 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
2月19日，青岛思锐智能科技股份有限公司（以下简称“思锐智能”）拟冲击A股IPO的消息引发市场广泛关注。 官网显示，思锐智能成立于2018年，总部位于青岛，在北京、上海设有研发中心。公司主要聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售，提供具有自主可控的核心关键技术的系统装备产品...  [详内文]

国内半导体设备领军企业项目落地成都高新区
作者 |发布日期 2025 年 02 月 21 日 11:04 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
成都高新区电子信息产业局官微消息，2月18日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）与成都高新区签订投资合作协议。 中微公司将设立全资子公司——中微半导体设备（四川）有限公司，专注于高端逻辑及存储芯片相关设备的研发和生产，涵盖化学气相沉积设备、原子层沉积设备及...  [详内文]

国内一第三代半导体项目签约杭州
作者 |发布日期 2025 年 02 月 20 日 14:41 | 分类 碳化硅SiC
2月14日，浙江杭州西湖区成功举办2025年一季度重大项目集中推进暨重点招商项目集中签约活动。 本次活动中，19个重大项目集中推进，总投资规模达约107亿元，年度计划投资约23亿元，涵盖多个关键领域，为区域经济发展注入强大动力。 其中，杭州高裕电子科技股份有限公司的第三代半导体可...  [详内文]

深圳/香港，碳化硅技术研究迎来新进展！
作者 |发布日期 2025 年 02 月 20 日 14:30 | 分类 射频 , 碳化硅SiC
近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其卓越的高温、高频、高电压性能，在新能源汽车、5G通信、智能电网等多个领域展现出巨大的应用潜力和市场价值。随着全球科技产业的快速发展，碳化硅技术不断取得突破。近期，深圳与香港碳化硅研究新进展曝光。 深圳平湖实验室SiC衬底激...  [详内文]

晶升股份：公司现已解决了碳化硅盲盒生长的瓶颈
作者 |发布日期 2025 年 02 月 20 日 11:57 | 分类 碳化硅SiC
近日，晶升股份在接待机构投资者调研时表示，由于碳化硅盲盒生长的特点，晶体生长过程中无法进行实时观测，因此也缺乏大量的数据积累供人工智能进行分析和学习。 晶升股份现已解决了碳化硅盲盒生长的瓶颈，通过引入可视化检测系统可使长晶过程看得见，为数据采集提供了扎实的设备基础，也意味着公司已...  [详内文]

江苏集芯取得两用碳化硅晶片倒角机专利
作者 |发布日期 2025 年 02 月 20 日 11:30 | 分类 碳化硅SiC
国家知识产权局信息显示，近期江苏集芯先进材料有限公司取得一项名为“两用碳化硅晶片 倒角机”的专利。 专利摘要显示，本实用新型公开了一种两用碳化硅晶片 倒角机，包括：转轴，转轴内设有抽气管道；打磨台本体，打磨台本体与转轴可拆卸地相连，打磨台本体具有第一气道和支气体通道，支气体通道设...  [详内文]

HKC惠科微间距LED大屏技术取得突破
作者 |发布日期 2025 年 02 月 19 日 11:26 | 分类 氮化镓GaN
近日，HKC惠科成功完成全球首款硅基GaN单芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微间距LED大屏直显领域的应用的研发。 基于微间距LED大屏直显领域迅速发展, 伴随着像素间距的进一步微缩，缩小芯片在COB产品的需求急速提升。MiP方案成为微间距大屏直显技术发展的不二...  [详内文]

氮化镓厂商获得3200万美元C轮融资
作者 |发布日期 2025 年 02 月 19 日 11:10 | 分类 氮化镓GaN
近日，氮化镓厂商Cambridge GaN Devices (CGD)宣布 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresi...  [详内文]