据南京发布近日消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。
source:江宁发布
公开资料显示,碳化硅是第三代半导体材料的主要代...  [详内文]
国内沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术有新突破 |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 09 月 02 日 17:21 | 分类 功率 |