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不要把800V的高成本妖魔化，这些主机厂和Tier 1正在卷技术卷规模
作者 |发布日期 2023 年 07 月 18 日 17:50 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
小鹏G6上市热潮再度掀起800V的适用性和适配性讨论。同样电驱Tier 1在近两年陆续发布了许多800V新品。 在这个过程中，整个行业提出了几大问题：800V电驱该怎么降本，面临着哪些技术挑战？外资Tier 1能否在800V时代超车？ 为什么800V？ 800V的兴起源于对超快充...  [详内文]

韩国新目标？化合物功率半导体技术强国
作者 |发布日期 2023 年 07 月 17 日 17:58 | 分类 碳化硅SiC
据外媒报道，韩国正在推进一项价值约1400亿韩元的研发项目，目标是成为“化合物功率半导体技术强国”。 韩国产业通商资源部部长李昌洋7月13日在国家研究开发项目评估综合委员会上宣布，“化合物功率半导体先进技术开发项目”已通过初步可行性研究，总计费用1384.6亿韩元（政府预算938...  [详内文]

金刚石基GaN问世
作者 |发布日期 2023 年 07 月 17 日 17:57 | 分类 氮化镓GaN
材料往往因特定优势而闻名。金刚石正因为在室温下具有最高的热导率(2000W/m.K)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照等优越性能，而在高功率、高频、高温领域有至关重要的应用。金刚石，已被认为是目前最有发展前途的宽禁带半导体材料之一。 美国国防...  [详内文]

又一公司CVD设备发货，国产化到哪步了？
作者 |发布日期 2023 年 07 月 17 日 17:46 | 分类 碳化硅SiC
7月16日，微导纳米发布官方消息，公司的首台半导体CVD薄膜沉积设备顺利发货。微导纳米的iTronix®系列CVD薄膜沉积设备，主要用于制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同种类薄膜，可应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件以及化合物半导体等领域芯片制造。 CVD设备需求提升...  [详内文]

赛微电子：控股子公司BAW滤波器启动量产
作者 |发布日期 2023 年 07 月 17 日 17:42 | 分类 产业
据赛微电子公告，近日，控股子公司赛莱克斯北京以MEMS工艺为某客户制造的系列BAW滤波器完成了小批量试生产阶段。7月15日，该客户已与赛莱克斯北京同步签署《长期采购协议》，赛莱克斯北京开始进行BAW滤波器的商业化规模量产。 赛莱克斯北京成立于2015年，由赛微电子与国家集成电路产...  [详内文]

天岳先进：8英寸导电型产品具备量产能力
作者 |发布日期 2023 年 07 月 14 日 17:14 | 分类 碳化硅SiC
近期，天岳先进在投资者互动平台表示，公司在上海临港工厂已经于2023年5月进入6英寸导电型产品交付阶段，并获得了英飞凌、博世等国际知名企业的合作。公司8英寸导电型产品也已具备量产能力。 随着产品交付的顺利进行，临港工厂正处于产能产量将持续爬坡阶段。得益于公司充足的订单需求和广泛的...  [详内文]

东芝推出第三代650V SiC肖特基势垒二极管
作者 |发布日期 2023 年 07 月 14 日 17:13 | 分类 碳化硅SiC
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。 新...  [详内文]

两巨头签订电动汽车芯片供货协议
作者 |发布日期 2023 年 07 月 14 日 17:11 | 分类 碳化硅SiC
英飞凌在本周表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。 根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林...  [详内文]