由于SiC硬度大和易脆裂等特性,晶锭切割成为制约SiC器件制造核心瓶颈。近期,日本Dry Chemicals开发了一种新的工艺,能够将SiC晶圆的制造成本降低20~30%。
该技术的核心是在晶锭上进行开槽,这样可以使得晶圆切片的时候更加平整,从而减少晶圆表面的研磨、抛光等后处理所...  [详内文]
日本开发这项新技术,可将SiC晶圆制造成本降低30% |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 09 月 08 日 16:26 | 分类 功率 |