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55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批

作者 |发布日期 2023 年 08 月 14 日 16:12 | 分类 射频
近日,国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。 “宽带射频功率放大器”项目基于第三代半导体GaN开展超宽带射频功率管的设计与制造研究,计划研究一套宽频带射频功率放大器,实现宽带射频功放在超高场磁共振的工程应用,为...  [详内文]

集邦咨询:预估2027年Micro LED芯片产值近6亿美元

作者 |发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类 光电
在大型显示器与穿戴装置应用量产的带动下,TrendForce集邦咨询预估,2023年Micro LED芯片的产值将达2,700万美元,年成长92%。 而在现有应用出货规模放大,以及新应用陆续加入的刺激下,预估2027年Micro LED芯片产值约5.8亿美元,2022~2027年...  [详内文]

鼎镓半导体深紫外LED项目入围南湖区重点项目名单

作者 |发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类 光电
近日,鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外LED芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。 官方消息显示,鼎镓半导体是一家以第三代半导体外延片制备、芯片设计及相关应用产品研发为主的研发先导性科技企业,主要产品是以第三代半导体材料为主的GaN紫外光...  [详内文]

Coherent宣布VCSEL出货量超2000亿颗

作者 |发布日期 2023 年 08 月 11 日 17:35 | 分类 光电
8月1日,Coherent宣布传感器用VCSEL发射器出货量已超2000亿颗。 Coherent的主营产品包括激光器、光学器件、材料(含SiC衬底与外延、SiC功率器件及模块)三大类。针对传感器应用,Coherent提供近红外/短波红外/中波红外半导体激光二极管、光电二极管、衍射...  [详内文]

Crystal IS生产出首款4英寸氮化铝衬底

作者 |发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:26 | 分类 功率
近日,日本化工企业旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生产出了首款4英寸氮化铝(ALN)衬底,展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性,以满足各类应用的生产需求。 Crystal IS 据了解,氮化铝衬底具有低缺陷密度、高紫外...  [详内文]

功率器件双雄,激战SiC

作者 |发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:25 | 分类 功率
SiC,一颗在功率半导体领域中冉冉升起的新星。 如今我们提起它,就离不开特斯拉和意法半导体,第一个吃螃蟹的特斯拉用SiC MOSFET敲开了新世界的大门,而意法的SiC也因为特斯拉Model 3这股东风扶摇直上,超越英飞凌成为了SiC领域里说一不二的新霸主。 特斯拉凭借Model...  [详内文]

九峰山实验室6英寸SiC中试线全面通线

作者 |发布日期 2023 年 08 月 10 日 17:22 | 分类 功率
近日,九峰山实验室6英寸碳化硅(SiC)中试线全面通线,首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。 实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺,实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀,打通了高厚度一致性及均一性、低界面...  [详内文]

英诺赛科100V GaN再添新品

作者 |发布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分类 功率
英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件,旨在提高电源功率转换效率,降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。 英诺赛科 此前,英诺赛科已相继发布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [详内文]

设备商K&S、Veeco公布最新业绩报告

作者 |发布日期 2023 年 08 月 09 日 17:31 | 分类 光电
近日,LED相关设备厂商K&S、Veeco公布最新业绩报告,K&S净利润环比上升45.7%,Veeco净利润同比增长3%。 K&S:净利润环比上升45.7% 8月8日,K&S公布2023财年Q3(截至2023年7月1日)业绩。按照美国通用会计准则(...  [详内文]

投资8.3亿,天科合达徐州二期项目开工

作者 |发布日期 2023 年 08 月 09 日 17:30 | 分类 功率
8月8日,天科合达发布消息,为了进一步完善产能布局,抢占市场先机,北京天科合达在徐州经开区开展江苏天科合达二期扩产项目建设,项目投资8.3亿元,占地70亩,建筑面积约5万平方米,购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台(套),可实现年产碳化硅衬底16万片。 项目于2023年8月8...  [详内文]