作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓具备大禁带宽度(4.8eV)、高临界击穿场强(8MV/cm)和良好的导通特性,与碳化硅和氮化镓相比,氧化镓在大功率和高频率应用中具有优势,且导通电阻更低,损耗更小。
目前,中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方...  [详内文]
日本团队不使用铱坩埚研制出直径约2英寸氧化镓晶体 |
作者 chen, zac | 发布日期: 2024 年 08 月 01 日 18:00 | | 分类: 产业 |