市场最新消息显示，2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。
据悉，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线、2026年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片；二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全球规模领先的8英寸SiC功率器件产线。
该项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。
公开资料显示，士兰集宏项目达产后可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，并带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。
碳化硅市场现状：产能扩张引价格波动，资本追捧热度不减
近年来，全球碳化硅衬底产能大幅提升，这在一定程度上导致了供过于求的现象。
行业多方消息显示，碳化硅衬底市场价格在2024年中期，6英寸碳化硅衬底的价格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，价格进一步下降至450美元，并还在持续走低。 价格的下降一方面是由于技术提升和规模化效应推动成本降低，另一方面也是为了促进下游应用的扩展。在这种市场环境下，各大碳化硅衬底厂商均在加码推进技术突破，以获得更高的市场份额。
回顾2024年，我国就有超100家企业在碳化硅领域进行布局，其中2024年就有超50个碳化硅项目迎来最新进展，涉及的企业包括三安半导体、天科合达、重投天科、天岳先进、晶盛机电、同光股份、东尼电子、科友半导体等。其中合盛新材多家企业在8英寸衬底、外延、晶体生长以及设备等多领域的突破值得关注。
在衬底方面，国外多家大厂已与我国天科合达、天岳先进等企业签订了长期供货协议。
多方行业人士表示，中国的碳化硅企业特别是在衬底制备领域，国内衬底企业的6英寸以及8英寸产品，无论是从产品的质量、产能还是价格，都已经具备了明显的竞争力。预计未来几年，国内头部衬底企业将成为国际市场8英寸衬底的主要供应商，市场占比远超目前的6英寸。
尽管市场存在价格波动等挑战，但碳化硅产业链仍持续受到资本追捧。
据集邦化合物半导体数据显示，2024年以来，碳化硅产业链就有44家公司获得融资。其中广州南砂晶圆半导体技术有限公司、苏州悉智科技有限公司等7家公司在年内均已完成两轮融资。 从国内碳化硅产业链来看，衬底、器件、设备等细分领域均有企业完成新一轮融资。在产业扩产浪潮中，设备领域相关企业由于率先受益于产线建设需求，获得了投资机构的加码，2024 年有近半数的融资事件发生在该领域。
迈入2025年，忱芯科技、芯晖装备、伏尔肯、易星新材料、翠展微电子、青禾晶元、纯水一号、聚芯半导体、中江新材料、臻驱科技、瞻芯电子等超10家企业获得新一轮融资，公开披露的融资金额总计超30亿元。
总体而言，我国碳化硅产业近年来发展迅速，市场规模不断扩大，其中在上游碳化硅衬底和外延制备技术方面取得了显著进展，不断缩小与国际先进水平的差距，而在中游器件和模块制造环节与国际大厂还存在较大差距。
目前我国有披露相关投产动态的8英寸碳化硅器件产线主要是士兰微、芯联集成、湖南三安、方正微四条产线。 其中士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线（一期）已全面封顶，安意法半导体8英寸碳化硅项目也在近日实现了通线投产；芯联集成的8英寸碳化硅器件研发产线已于2024年通线；湖南三安投产在即，将正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商；方正微电子的Fab2的8英寸碳化硅生产线已于2024年底通线，2025年，方正微电子将具备年产16.8万片车规级碳化硅MOS的生产能力。
而在技术层面，碳化硅功率器件技术仍在不断发展完善。例如，在芯片封装与测试方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半导体技术，难以满足其自身发展需求，急需创新。
在市场竞争方面，随着越来越多的企业入局碳化硅产业，行业竞争日益激烈。企业不仅要在技术创新上发力，以提升产品性能、降低成本，还要注重产业链上下游的协同合作，提前开展技术合作，共同应对市场挑战。