新能源、电动汽车等推动之下，第三代半导体产业发展迅速。与此同时，各家厂商也大力布局专利技术，用以提升性能、降低成本。近期，国家知识产权局信息显示，中电化合物半导体、天科合达、安徽格恩、河北同光半导体四家公司相关专利曝光。
中电化合物半导体取得一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置专利
中电化合物半导体有限公司取得一项名为“一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置”的专利，授权公告日为今年1月21日，申请日期为2021年11月11日。
国家知识产权局
专利摘要显示，本发明提供一种晶片贯穿型缺陷的检测方法及装置，具体涉及半导体缺陷的检测领域。本发明的检测方法包括以下步骤：提供一晶片容纳装置；将涂覆有第一溶液和第二溶液的待检测晶片置于所述晶片容纳装置中；对装有待检测晶片的晶片容纳装置抽真空并在真空状态下保持一段时间；取出所述待检测晶片并观察其表面的颜色变化。利用晶片两侧溶液的颜色变化来判定晶片中贯穿型缺陷的位置。
该方法简单易操作，可提高晶片的检测效率。本发明还提供一种晶片贯穿型缺陷的检测装置，该装置结构简单、操作方便。
天科合达取得一种碳化硅Wafer转移装置专利
江苏天科合达半导体有限公司取得一项名为“一种碳化硅 Wafer 转移装置”的专利，授权公告日为2025年1月14日，申请日期为2024年2月。
source：国家知识产权局
专利摘要显示，本申请涉及碳化硅Wafer转移技术领域，公开了一种碳化硅Wafer转移装置，包括第一平台、第二平台、升降导向组件、锁紧组件；升降导向组件设置在第一平台一侧，第二平台滑动设置在升降导向组件上，锁紧组件与第二平台连接且用于将第二平台锁紧在升降导向组件上；第一平台用于在顶部设置第一卡塞，第二平台用于在顶部设置第二卡塞，第一、第二卡塞分别具有用于放置碳化硅Wafer的第一卡槽、第二卡槽，第二平台能够沿升降导向组件升降以将任一第一卡槽与任一第二卡槽在水平方向上对齐。该转移装置在应用时，能够利用第二平台的升降使两卡塞中任意两卡槽对齐，实现在两卡塞的任意两卡槽间转移碳化硅Wafer，提升工作效率，避免Wafer掉落，且不易污染 Wafer表面。
安徽格恩申请一种GaN基化合物半导体激光器元件专利
安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基化合物半导体激光器元件”的专利，申请公布日为今年1月10日，申请日期为2024年10月。
source：国家知识产权局
专利摘要显示，本发明提出了一种GaN基化合物半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层和下波导层之间设置有电子自旋态调控层，设计电子自旋态调控层中第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层的压电极化系数分布，以及下限制层、下波导层、第一电子自旋态调控层和第二电子自旋态调控层之间压电极化系数的关系。本发明能够提升半导体激光器元件性能。
河北同光半导体申请使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底专利
河北同光半导体股份有限公司申请一项名为“一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法”的专利，申请公布日为今年1月7日，申请日期为2024年10月。
source：国家知识产权局
专利摘要显示，本发明提供了一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法包括如下步骤：S10：使用偏角大于4°的籽晶作为拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外缘取两个切割点，以两个所述切割点的连线为切割轨迹，沿所述切割轨迹切割所述拼接籽晶，取切割后体积较小的部分为拼接部；S20：取偏角为4°的籽晶作为被拼接籽晶，将所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作为生长籽晶；S30：将所述生长籽晶置于生长装置中进行生长，直至在生长籽晶的轴向上长出晶锭；S40：对所述晶锭进行滚圆处理，直至将小面滚掉并呈圆柱形，将圆柱形的晶锭裁切为晶片后作为碳化硅衬底使用。（集邦化合物半导体Flora整理）
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