尽管目前以碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正在被广泛应用，风光无限，但产业界仍然在持续加码以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料，以期挖掘砷化镓、磷化铟材料更长远和更大的价值。
近日，国内又有2个砷化镓、磷化铟相关项目几乎同时披露了最新进展，分别是海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片及器件项目、唐晶量子化合物半导体外延片项目，两个项目合计投资额超过50亿元。
source：立昂微
海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片及器件项目通线
12月24日，据杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称：立昂微）官微消息，海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片及器件项目于12月23日正式通线。
据介绍，海宁立昂东芯注册成立于2021年，是立昂微化合物半导体射频芯片业务板块新的生产基地项目。项目规划总投资50亿元，布局6英寸砷化镓微波射频芯片、氮化镓（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等产品领域，建成后将达到年产36万片6英寸微波射频芯片及器件的生产规模。
唐晶量子化合物半导体外延片项目投产
12月22日，据“长安号”消息，西安高新区近日举行了2024年下半年重点项目集中竣工投产活动，本次活动共有23个重点项目正式竣工投产，总投资达335.22亿元，其中包括唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目。
据报道，唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目建设了一条砷化镓和磷化铟化合物半导体外延片生产线，用于化合物半导体外延片的研发及生产。
砷化镓、磷化铟产线建设趋火
近期，砷化镓、磷化铟产业似乎掀起了一股投资扩产潮，除上述两个项目外，还有多个厂商披露了在砷化镓、磷化铟领域的最新项目进展或规划。
其中，常州纵慧芯光半导体科技有限公司旗下“3英寸化合物半导体芯片制造项目”在今年10月已完成封顶。该项目总投资5.5亿元，规划用地40亩，预计明年1月投产，达产后将形成年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计约5000万颗的生产能力。
珠海华芯微电子有限公司首条6英寸砷化镓晶圆生产线近日正式调通，并生产出第一片6英寸2um砷化镓HBT晶圆，预计将于2025年上半年实现大规模量产。
12月9日，高意（Coherent）宣布，其根据《芯片与科学法案》与美国商务部签署了一份备忘录。后者拟投资3300万美元（约2.4亿人民币），以支持Coherent现有70万平方英尺的先进制造洁净室的现代化改造和位于德克萨斯州谢尔曼工厂的扩建。该项目将通过增加先进的晶圆制造设备，扩建全球首个6英寸磷化铟生产线，以扩大磷化铟器件的规模化生产。
随后在12月21日，兆驰股份发布公告，拟投资建设砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线。本次投资为项目一期，项目一期建设拟投资金额不超过5亿元。
作为上述这些扩产项目的主角之一，?砷化镓具有多种优势，包括高频率、高速度、高功率、低噪声和低功耗，?这些特性使得砷化镓在微波通信、高速集成电路、光电子器件等领域表现出色。
而磷化铟具有较高的电子迁移率和饱和电子漂移速度，适合制造高频和高速电子设备?，此外，磷化铟在光电特性方面也表现出色，适合光电子和光通信应用，磷化铟衬底制造的半导体器件广泛应用于光模块器件、传感器件、高端射频器件等领域。
从应用领域来看，近期的砷化镓、磷化铟扩产项目也基本都是围绕微波射频、VCSEL激光芯片、光通信等场景展开，有望进一步推动砷化镓、磷化铟器件在各个领域的渗透。（文：集邦化合物半导体Zac）
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