12月18日，据长飞先进官微消息，长飞先进武汉基地项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛举办。
source：长飞先进
据介绍，长飞先进武汉基地项目本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等。目前，长飞先进武汉基地项目正推进建设并对设备进行安装调试，预计2025年5月实现量产通线。
据长飞先进官微此前消息，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
据了解，近期除长飞先进武汉基地外，还有2个碳化硅芯片/模块项目披露了最新进展，分别位于江苏东台、福建厦门。
11月21日，相关环保网披露的文件显示，士兰微旗下厦门士兰明镓化合物半导体有限公司碳化硅功率器件生产线建设项目已验收。该项目依托现有厂房，新增一条SiC产线，主要生产SiC功率芯片产品。项目新增SiC产能规模为MOSFET芯片28.8万片/年、SBD芯片28.8万片/年。
12月6日，瑞福芯科技“车规级SiC半导体功率模块产业化项目”落地东台高新技术开发区，公司与东台高新区正式签署了《投资协议》、《补充协议》。投资协议显示，整个项目投资10-15亿元，分两期实施，首期投资3亿元。（集邦化合物半导体Zac）
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