近日,晶能、三菱电机、悉智科技相继发布了碳化硅功率器件/模块新品,其中包括沟槽栅SiC-MOSFET。
晶能发布太乙混合功率器件,采用SiC&IGBT并联设计
11月12日,据晶能微电子官微消息,由吉利汽车集团中央研究院新能源开发中心、技术规划中心、电子电器中心和零部件产业中心携手行业内零部件、半导体企业及高校、科研院所共同举办的“吉利汽车功率半导体技术创新平台”揭牌仪式于11月4日举行。
source:晶能
揭牌仪式上,平台发布了首期成果——太乙混合功率器件。太乙混合功率器件为平台首期合作伙伴晶能、意法半导体等联合开发的平台化方案,采用SiC&IGBT 并联设计,峰值功率可拓展150-260kw,系统尺寸仅为A4纸大小,出流能力超过430A。
三菱电机提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品
11月12日,据三菱电机官微消息,三菱电机将于11月14日开始提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)和其他电动汽车(xEV)电驱逆变器的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)裸片样品,这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片。这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术,有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率。
source:三菱电机
据介绍,三菱电机于1997年开始量产用于xEV的功率半导体模块,并已应用于各种电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)。2024年3月,其开始供应J3系列xEV功率半导体样品,该系列产品采用最新压注模(T-PM)技术实现小型化设计,在汽车市场得到广泛应用。
三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅SiC-MOSFET,与传统的平面栅SiC-MOSFET相比,其功率损耗降低了约50%。特有的制造技术,如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺,让新款芯片更加耐久稳定,有助于提高逆变器的耐用性和xEV性能。
悉智科技推出车载OCDC混合功率模块
11月13日,据悉智科技官微消息,悉智科技近日推出自主创新的下一代车载OCDC混合功率模块,实现全国产化Si/SiC器件导入。
source:悉智科技
据介绍,国内车企关注OCDC体积,国内OCDC目前量产方案中绝大部分采用立体水道器件底部散热,包括传统单管方案和铝基板方案两种,悉智科技推出的下一代OCDC功率模块适用于立体水道。(集邦化合物半导体Zac整理)
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