伴随着碳化硅产业快速发展，项目与产能建设成为热点话题之一。近日，国内又有两个碳化硅材料相关项目披露了最新动态，分别是中晶芯源8英寸碳化硅单晶生长及衬底加工技术开发项目以及予秦半导体碳化硅晶锭项目。
国内2个碳化硅材料项目同时披露新进展
据“投资济南”官微消息，10月17日，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会在历城区国家超级计算济南中心举办。会上，中晶芯源8英寸碳化硅单晶生长及衬底加工技术开发项目与山东大学新一代半导体材料研究院举行签约。
据悉，中晶芯源是南砂晶圆全资子公司。今年6月22日，南砂晶圆北方基地——中晶芯源8英寸碳化硅项目正式投产。该项目计划总投资15亿元，达产年产能为30万片。
在中晶芯源8英寸碳化硅项目投产当天，南砂晶圆、中晶芯源董事长王垚浩表示，碳化硅进入8英寸时代比预想的要早、要快，今后三年，南砂晶圆投资扩产的重心将放在济南北方基地项目上，大幅提升8英寸碳化硅衬底产能。
在中晶芯源8英寸碳化硅项目新签约的同时，予秦半导体碳化硅晶锭项目公示了环评文件。
根据环评文件，予秦半导体晶体材料研发及产业化项目总投资1.1亿元，选址位于芜湖高新技术产业开发区，项目占地面积约3000平方米，租赁厂房建筑面积2428.6平方米，建设碳化硅半导体晶体材料生产线，项目共投入30台长晶设备，产能为840个晶锭/年。
据悉，予秦半导体碳化硅晶锭项目最早于2022年8月8日进行首次备案，原规划建设碳化硅长晶炉总部及生产基地项目，组装生产碳化硅长晶设备（环评豁免）；后于2024年4月1日变更备案并通过，建设晶体材料研发及产业化项目，并且于同年6月对备案中项目占地面积、租赁厂房建筑面积、建设周期等建设内容进行更正并通过备案。
国内碳化硅材料项目热度居高不下
据集邦化合物半导体不完全统计，今年下半年以来，包括中晶芯源8英寸碳化硅项目和予秦半导体碳化硅晶锭项目在内，国内已有十多个碳化硅材料项目相继披露了最新进展，显示各大厂商正在持续加码碳化硅材料细分赛道。
其中，广东天域半导体总部和生产制造中心项目总投资80亿，总占地面积约114.65亩，建筑面积约24万平方米，建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，产能达150万片/年。项目建设周期为2023年至2026年，未来预计年产值约100亿元。
天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目用于扩大其碳化硅晶体与晶片产能，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
投资额70亿元的重庆三安8英寸碳化硅衬底厂在8月底已实现点亮通线，是三安光电为其与意法半导体合资的8英寸碳化硅器件厂配套建设的碳化硅衬底厂，年产能为8英寸碳化硅衬底48万片。
从天科合达、天域半导体等碳化硅衬底、外延头部厂商的新增项目来看，基本都是兼顾6/8英寸，符合产业发展现状与趋势。
目前，碳化硅产业仍然以6英寸为主，8英寸尚未大规模普及应用，厂商新增项目规划一部分6英寸产能，能够满足当前的市场需求，但8英寸是趋势，规划8英寸产能能够为未来的起量提前做好产线布局。
还有厂商新建项目规划的是6/8英寸碳化硅衬底兼容的产线，初期量产6英寸衬底以抢占当前市场份额，一旦8英寸时代来临，可在短时间内转而量产8英寸产品，能够快速响应产业需求。
除上述碳化硅衬底项目外，这些材料项目有一部分是衬底生产制造的原材料碳化硅粉体项目，包括中宜创芯、冠岚新材料、北京世宇、利源硅业等厂商相关项目。
资料显示，碳化硅粉体纯度直接影响单晶的生长质量和电学性能，纯度越高，单晶的生长质量和电学性能越优秀。
今年以来，国内各大碳化硅衬底厂商正在持续加码产能建设，作为配套，已有一批碳化硅粉体项目在今年下半年落地实施，将有助于各大衬底厂商从原材料端推进项目顺利实施。
当前，国内碳化硅相关企业在材料端、器件端、设备端都取得了一定进展，本土厂商在整个碳化硅产业链的存在感都将会越来越强。（文：集邦化合物半导体Zac）
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