10月18日，据外媒消息，日本东北大学近日宣布成立FOX公司，该公司以低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片为目标。FOX采用了无贵金属单晶生长技术，旨在以比碳化硅更低的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。
source：东北大学
据悉，与碳化硅和氮化镓相比，β-氧化镓具有更宽的带隙和更低的能量损耗，因此有望成为下一代功率半导体材料。此外，与硅一样，β-氧化镓也可以从原材料熔体中熔融生长，因此可一次生产出大量高质量单晶，理论上可以低成本、低缺陷地生产单晶衬底。
然而，在传统的晶体生长方法中，盛放高熔点氧化物熔液的坩埚使用了贵金属铱，并且需要定期进行重铸。因此，铱相关的成本占了包括半导体前段工艺中的一部分薄膜制造成本的60%以上，这使得降低β-氧化镓器件制造成本变得困难。目前，β-氧化镓衬底比碳化硅更贵。而FOX正是为了应对这一挑战而成立的。
FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶体生长）方法，无需使用贵金属坩埚，即可生产出β-氧化镓块状单晶，其低缺陷程度可与硅媲美。
据介绍，FOX初期阶段将集中于使用OCCC法开发半导体级大尺寸化技术，加速技术开发，力争在2028年内确立6英寸晶圆的量产技术。此后，FOX将进一步扩建量产工厂，推进6英寸晶圆的验证。
目前，除日本企业外，国内相关企业也在积极布局氧化镓产业，并取得了一定进展。
其中，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。
随后在9月12日，据富加镓业官微消息，其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线于9月10日在杭州富阳开工建设。
同在9月，据“龙岩发布”官微消息，晶旭半导体二期——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目于2023年12月开工建设。目前，项目主体已经全部封顶，预计年底之前具备设备模拟的条件。（集邦化合物半导体Zac整理）
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