研发测试第三代半导体,深圳应科院揭牌

作者 | 发布日期 2024 年 10 月 11 日 18:00 | 分类 产业

据香港应用科技研究院(以下简称:香港应科院)官微消息,香港应科院全资子公司应科院科技研究(深圳)有限公司(以下简称:深圳应科院)于年初进驻河套深港科技创新合作区深圳园区并于10月9日正式揭牌。

深圳应科院揭牌

source:香港应科院

据介绍,去年7月,应科院“国际化应用基础研究机构项目”在河套深港科技创新合作区正式启动。至今,深圳应科院已开展多个项目的研发及测试,主要围绕第三代半导体和新一代通讯技术领域,建立三个技术平台,包括氮化镓高端电源技术开发及测试平台、碳化硅智能电力系统开发及测试平台、智慧校园模拟及实测平台,实现技术转化和产品的商业化。

据了解,第三代半导体是香港近年来重点发展的科技领域。今年5月,据港媒报道,香港立法会财务委员会批准了高达28.4亿港元(约25.85亿人民币)的拨款,用于设立一个专注于半导体研发的中心——香港微电子研发院。

香港微电子研发院将专注支持第三代半导体,包括碳化硅和氮化镓,该研究中心将率先在大学、研发中心和业界之间就第三代半导体进行合作。

据报道,香港微电子研发院将落地元朗创新园,容纳两条第三代半导体的试验生产线,并允许初创公司、中小企业在将产品商业化之前完成运行测试。此外,该中心生产的半导体还有望用于开发新能源汽车、实现可再生能源解决方案。

而在7月30日,据香港中通社消息,香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司(以下简称麻省光子技术)联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。

仪式上,专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心,并于香港科技园微电子中心(MEC)开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线,预计将在香港投资至少2亿港元(约1.82亿人民币),带动第三代半导体产业链发展。(集邦化合物半导体Zac整理)

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