5月6日上午，位于武汉市东湖高新区九龙湖街以南、五峰路以西的武汉新城化合物半导体孵化加速及制造基地项目正式开工。该项目是湖北省重点项目、武汉新城重点建设科技项目，同时也是九峰山实验室的重大配套工程。
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据悉，2023年12月20日，光谷宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地，项目总用地面积约7.5万平方米，总建筑面积约17万平方米，包括4栋化合物半导体洁净厂房、4栋孵化加速办公厂房以及相关配套建筑群。
资料显示，九峰山实验室位于武汉江夏区，是湖北十大实验室之一，已建成化合物半导体产业较先进、规模较大的科研及中试平台。近年来，九峰山实验室聚焦下一代功率器件技术的研究，形成了自主可控的成套工艺技术。
在SiC领域，九峰山实验室6英寸SiC中试线于2023年8月1日全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线，标志着该实验室已具备SiC外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
在首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线后，九峰山实验室持续攻克SiC工艺技术难关。2023年12月，该实验室在SiC超结领域取得新进展：完成具有完全自主知识产权的SiC多级沟槽超结器件新结构设计，优化后的超结肖特基二极管可以实现2000V以上的耐压，比导通电阻低至0.997mΩ·c㎡，打破了SiC单极型器件的一维极限，同时该超结器件的多级沟槽刻蚀核心工艺研发也已完成。（集邦化合物半导体Zac整理）
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