天眼查官网显示，3月25日，广州南砂晶圆半导体技术有限公司（以下简称：南砂晶圆）获得C+轮融资，参与投资的机构包括历城控股，浑璞投资。
同时，公司的注册资本发生变更，由34,560万元提升3.24%至35,680万元。
值得一提的是，南砂晶圆近一年来已完成了三轮融资。天眼查官网显示，南砂晶圆目前已完成六轮融资，最近三轮分别发生在2023年7月、2024年1月以及2024年3月。
根据公司官网介绍，南砂晶圆成立于2018年9月，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业。公司总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线。
其中，济南厂区正处于积极扩产期。据悉，南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目于2023年6月12日落地山东济南，成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。
目前，南砂晶圆计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，投资额15亿元，于2025年实现满产达产。
而广州方面，南砂晶圆于2020年7月启动南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目，该项目总投资9亿元，已于2023年4月试投产，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。
产品方面，目前，南砂晶圆以6、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主，并可视市场需求不断丰富产品线。
其中，8英寸产品方面，2022年，南砂晶圆联合山东大学晶体材料国家重点实验室经过多年的理论和技术攻关，实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备。
2023年8月，山东大学与南砂晶圆在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平面位错密度为202 cm-2。据悉，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC衬底制备，有助于加快国产8英寸SiC衬底的产业化进程，提升市场竞争力。（集邦化合物半导体 Winter整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。