近日，长飞先进武汉基地项目、嘉盛半导体苏州封测新基地、摩珂达SiC功率器件及电子产品制造项目同时传出利好消息。
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长飞先进武汉基地项目预计明年7月投产
近日，据“湖北新闻”透露，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块。
该项目进度方面，2023年8月，长飞先进半导体与武汉东湖高新区管委会正式签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。一个月后，长飞先进半导体武汉基地开工。当时消息，该项目总投资预计200亿元，一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成。
值得一提的是，2023年5月，长飞先进半导体明确提出“All?in?SiC-十年黄金赛道”的发展战略，全面发力SiC赛道。当年7月，长飞先进半导体SiC战略项目（KO）A样品达到预期设计目标，标志着长飞先进半导体拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力。
据了解，长飞先进拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，15mohm产品比导通电阻（Ron，sp）已达3.4mΩ·cm2，跻身国际先进水平。除此之外，长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。
2023年12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着长飞先进已具备SiC产品自主研发及量产能力。
此外，据长飞先进SiC产品部总经理胡学清此前透露，长飞先进正在筹建SiC功率器件应用实验室，计划与安徽省内新能源产业深化合作，协同发展，合力打造SiC产业生态圈。
嘉盛半导体苏州封测新基地计划年底竣工
近日，据“苏州工业园区发布”消息，嘉盛先创科技（苏州）有限公司（以下简称嘉盛先创科技）新建集成电路封装测试生产项目厂房、办公楼等于近期完成主体封顶，二次结构施工及外围护施工等工作正加快推进。
据悉，该项目占地面积100亩，规划厂房面积约14万平方米，主要专注于SiC、GaN、汽车电子等先进封装。该基地分两期投资建设，其中一期于2022年8月开工，计划于今年年底竣工，2025年初试运营，将成为嘉盛半导体苏州封测新基地。
资料显示，嘉盛半导体成立于1972年，总部位于马来西亚，是一家半导体封装与测试供应商。嘉盛半导体（苏州）有限公司成立于2002年3月，量产生产开始于2004年，厂房面积56000平方米。2022年2月，嘉盛先创科技在苏相合作区注册成立，注册资本8000万美元。嘉盛半导体（苏州）有限公司和嘉盛先创科技均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全资控股。
摩珂达SiC功率器件及电子产品制造项目签约
3月27日，浙江省嘉兴国家高新区（高照街道）一季度重大项目集中签约仪式举行。活动现场，2个总投资超50亿元的瓷新半导体材料总部项目、摩珂达SiC功率器件及电子产品制造项目完成签约。
值得一提的是，不久前，嘉兴国家高新区还签约另一个SiC项目。今年2月消息，嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约。该项目由晶能微电子与星驱技术团队共同出资设立，重点布局车规SiC半桥模块。
该项目总投资约10亿元，投资建设年产90万套SiC半桥模块制造生产线及相关配套，投产后预计实现年产值约12.5亿元。
据晶能微电子CEO潘运滨透露，该项目是在去年晶能微电子投资50.17亿元建设晶圆和模块生产线基础上，联合合作伙伴，针对新的市场需求和产品类型做的新一轮扩产投资。（集邦化合物半导体Zac整理）
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