3月18日，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见。
据悉，东尼电子2021年非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”的实施地点位于湖州市吴兴区织里镇。该项目总投资4.69亿，由子公司东尼半导体负责建设。这一项目已于2023年上半年实施完毕。
而湖州市生态环境局本次公示的项目，则是在该募投项目上的进一步扩建。
根据公告内容，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸碳化硅衬底材料项目。扩建项目主要购置长晶炉、研磨机、超声波清洗机、切割机、抛光机、位错检测仪等晶体生产加工设备及检测仪器421台/套，形成年产20万片碳化硅衬底材料的生产能力。
图源：拍信网正版图库
无独有偶，天岳先进、南砂晶圆等，也扩大了原有工厂的产能。
根据2022年募投计划，天岳先进于上海临港建设SiC衬底生产基地。项目规划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型SiC衬底。
2023年下半，天岳先进决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划扩大220%。
2024年3月25日，天岳先进在投资者互动平台表示，目前临港工厂扩产进展顺利，产品交付有序推进；临港工厂第二阶段的产能规划也已经步入议程，公司将继续根据下游市场和客户需求情况，推进临港工厂产能产量提升。
而南砂晶圆总经理王垚浩日前在接受采访时直言，公司正在积极扩产济南厂区，计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，投资额15亿元，于2025年实现满产达产。
据悉，南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目于2023年6月12日落地山东济南，成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。（集邦化合物半导体 Winte整理）
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