根据蓝驰创投官方消息，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称：镓仁半导体）近日正式完成数千万天使轮融资。该轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投；融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。
据悉，氧化镓是一种无机化合物。作为第四代半导体的代表，氧化镓被视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料，具有禁带宽度大（4.8 eV）、临界击穿场强高（8MV/cm）、导通特性几乎是碳化硅的10倍、材料生长成本低于第三代半导体等优势，未来有望在通信、雷达、航空航天、高铁动车、新能源汽车等领域得到应用。
目前，各国半导体企业正争先恐后布局氧化镓。其中，中国已经成长为一股不可忽视的力量。
据韩媒The Elec报道，根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，日本拥有专利313件，两国专利数量占总数的50%以上；而2021年9月至2022年11月新增的460件专利中，也大部分来自中国（240件）和日本（87件）。
今年以来，中国在氧化镓领域也不断取得突破：
2月，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管；
同月，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平；
3月，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。
此次获得融资的镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。据了解，镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。（化合物半导体市场 Winter整理）
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