近日，扬杰科技发布公告宣布拟公开摘牌参与受让湖南楚微半导体科技有限公司（以下简称：楚微半导体）30%的股权，完善8英寸功率半导体芯片生产线布局，满足市场对MOSFET、IGBT等持续增长的需求。
公告显示，湖南高新创业投资集团有限公司（以下简称“湖南高新创投集团”）拟通过公开挂牌方式转让其持有的楚微半导体30%的股权，扬杰科技拟使用自有资金以公开摘牌方式参与本次转让项目，转让底价为29,376万元，具体金额以竞价结果确定。目前，扬杰科技尚未签署产权交易合同。
值得注意的是，扬杰科技去年6月刚以2.95亿元取得了楚微半导体40%的股权，若此番最终受让方仍为扬杰科技，交易完成后，扬杰科技将持有楚微半导体70%的股权，后者成为其控股子公司，纳入公司合并报表。若交易完成，楚微半导体的股权结构如下：
据介绍，楚微半导体主要在8英寸生产工艺平台生产及销售半导体功率器件芯片，产品主要包括高、中、低压沟槽式MOSFET芯片和沟槽式光伏二极管芯片等，后续将向SiC碳化硅芯片等产品拓展。2022年，楚微半导体实现营收1.39亿元，净利润为-5103万元。
目前，楚微半导体已实现8英寸线的规模化生产，月产近2万片，产能持续爬坡中。SiC产能方面，楚微半导体正在建设一条月产5000片的6英寸SiC芯片生产线，根据去年交易的特别约定，扬杰科技负责筹措楚微半导体二期建设资金，确保后者最迟在2024年12月31日前完成增加建设这条6英寸SiC芯片生产线及一条月产3万片的8英寸硅基芯片生产线。
在第三代半导体领域，扬杰科技已有多年的技术、产品及产能储备。早在2015年，扬杰科技便募资1.5亿元投向SiC芯片、器件研发及产业化建设项目。目前，扬杰科技已组建了相关设计、测试、工艺等人才，持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在SiC、GaN功率器件等产品研发力度。
2022年上半年，扬杰科技开发了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二极管产品，并获得国内Top 10光伏逆变器客户的认可，完成了批量出货。MOSFET产品方面，1200V 80mohm SiC MOSFET系列产品也已获得客户认可，并实现量产。
现阶段，扬杰科技各系列产品中，MOSFET系列相关产品营收占比较高，IGBT和SiC系列产品营收占比还比较低，但增长速度很高，占比也在逐步增长。若本次交易完成，扬杰科技的产品谱系及全系列产能也将进一步完善，有利于其突破产能瓶颈，提升制造工艺水平，进一步发挥IDM一体化优势，强化中高端功率器件布局。
另值得一提的是，扬杰科技在IGBT、MOSFET、SiC等高端产品领域短期内采用Fabless模式，积极与主流晶圆代工厂保持长期合作。若未来持有楚微半导体70%的股权，那么扬杰科技在SiC芯片制造、产业协同、成本管控等方面的综合能力有望进一步提升，而其经营模式是否会随着发生改变，也将备受瞩目。（化合物半导体市场Jenny整理）
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