台亚氮化镓产品预计2023年之前送样

作者 | 发布日期 2022 年 06 月 24 日 11:30 | 分类 产业

台亚昨(23)日召开股东会,新任总经理衣冠君会后受访时表示,目前积极转型往半导体产业发展,扩大招募半导体专业经理人及研发人员加入团队,目标在抢攻次世代感测元件于工业应用、电动车电源、感测芯片等利基市场。

除了次世代感测元件,台亚2021年开始筹建积亚半导体(Pro-Asia Semiconductor Corporation)专注开发以碳化硅(SiC)衬底的高功率元件。今年更进一步规划下半年扩大台亚现有厂房洁净室区域,投入氮化镓(GaN)磊晶及元件的研发及生产,预计于2023年前提供样品供合作客户进行验证。

台亚新任总经理衣冠君表示,台亚过去在磊晶及分离器件制造技术上已有相当深厚的基础,将扩大加强与上游IC设计公司及下游封测及产品的合作,将可于短时间内制作出高电子迁移率晶体管(Power HEMT)样品,提供给客户进行验证。

台亚将以氮化镓为基础的第三代半导体的功率器件作为主要产品,其相对于硅基的元件可以耐更高的电压,比起碳化硅的元件能有有更低的功耗,未来将结合氮化镓与碳化硅,发展出高频高效的射频器件及模块。

图片来源:拍信网正版图库

台亚新总经理衣冠君曾任半导体设备大厂科林研发资深总监、德州仪器、茂德、茂硅等半导体公司,拥有超过20年丰富半导体制造厂管理经验。台亚半导体公司自2019年由光磊科技更名以后,持续推动产品由光电朝向硅电多元化发展。

而为应对市场需求成长,台亚于今年将投入8亿元新台币扩产高阶产品,包括高性能光耦元件、长波长VCSEL/LED、与长波长PD等,新产能自今年上半年开始拉升。

而在23日股东会会后衣冠君总经理受访时更进一步揭露,台亚在于第三代半导体的时程规划与目标,未来将持续采稳健的投资以支持第三代半导体研发及应用,争取在全球众多竞争者中脱颖而出。(来源:工商时报)

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