近几年，国星光电聚焦Mini/Micro LED超高清显示领域，加速布局第三代半导体等前瞻领域赛道，着力攻克关键核心技术，形成了多项自主知识产权。
4月27日，国星光电发布公告称，公司于近日收到国家知识产权局颁发的9项发明专利证书，包括6项涉及Mini/Micro LED技术领域专利、3项涉及第三代半导体技术领域专利。
涉及Mini/Micro LED技术领域的6项专利中，“一种量子点发光器件及其制造方法”的发明专利，是国星光电继成功开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术、携手华南理工大学成功研制行业最高发光效率的量子点LED器件2项技术突破后，在Mini/Micro LED领域量子点技术攻关中取得的又一科研成果。
国星光电表示，本次取得的6项专利的相关技术方案，可以提高超高清显示产品的集成度，优化及简化线路结构设计，提升制程及封装良率，形成成熟的封装技术路线，确保显示效果的一致性，提升用户的观看体验。
涉及第三代半导体领域的3项发明专利，可提升产品散热效率，延长器件的使用寿命，更好地保障器件稳定性，同时兼具良好的绝缘性能及抗压能力，产品可根据实际需求进行多样化设计，灵活性非常强。
国星光电称，公司积极拓宽第三代半导体业务新赛道，致力于打造高可靠性、高品质的功率器件封测业务，目前在上游芯片领域布局有硅基氮化镓的外延芯片技术储备，中游封装领域已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线。
国星光电表示，本次获取的专利体现了公司正持续推进第三代半导体的研究开发和技术成果转化，为公司打造具备高可靠性、高品质优势的“第三代半导体功率器件封测企业”奠定坚实技术基础。
上述专利的取得彰显了国星光电在相关领域核心技术方面取得重要进展，相关专利的获得虽不会对公司近期生产经营产生重大影响，但对公司的工艺改进、产品创新、市场及品牌影响力提升等方面有积极的影响，有助于增强公司的核心竞争力。（LEDinside整理）
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