今天公布的2019年新当选科学院院士名单中，硅衬底LED技术发明人、晶能光电创始人、南昌大学副校长江风益教授赫列其中，这是国家对其科学成就的最高荣誉，也是继硅衬底LED技术获得2015年国家技术发明奖一等奖以来，我国LED照明领域的又一件大喜事。
早在1997年，江风益教授便开始了LED技术的研究工作，但不满足于跟踪模仿，2003年江风益教授率领团队开始研究在硅衬底上生长氮化镓LED材料，2005年取得重大技术突破，并在2006年和王敏等人引进风险投资共同创立了晶能光电，在全球率先实现了硅衬底蓝光LED大规模产业化。2015年国家技术发明奖一等奖花落硅衬底LED技术，奠定了我国在全球硅衬底LED技术领域的主导地位。
硅衬底蓝光LED技术历经十三年的迭代升级，产品性能与国际大厂并跑，晶能光电的硅衬底蓝光LED芯片拥有自主知识产权，可大功率大电流驱动，单面出光方向性好，散热好可靠性高，在大功率照明领域如汽车照明、手机闪光灯、高端移动照明等领域具有广泛的应用，成功实现进口替代，出货量均位居行业前列。同时，由硅衬底LED蓝光技术催生了一条以晶能光电-晶能半导体-中节能晶和照明-绿野汽车照明为主力企业的硅衬底LED产业链，并且在江西省政府打造南昌光谷、建设千亿产业基地的政策红利下，吸引了越来越多的LED企业，如中微半导体、鸿利光电、兆驰光电、乾照光电、易美芯光等企业落户南昌，在南昌形成了拥有完整自主知识的LED产业集群。
硅衬底LED技术远远不止于蓝光LED，以硅衬底LED蓝光技术为基础，可扩展至紫外、黄绿光、电子器件等领域。晶能光电成功开发出了国内领先的硅衬底紫外LED光源，大量应用于在工业固化（油墨、印刷等）、美甲、诱蚊等领域，在国内出货量也位居前列。在前沿技术领域，晶能光电将大尺寸硅衬底LED技术的优势延伸至Micro LED和氮化镓电子器件，特别是氮化镓电子器件，在材料外延领域处于国内领先。同时江风益教授团队的硅衬底LED黄绿光技术水平处于世界领先水平，技术成果获得包括诺贝尔物理学奖获得者中村修二等国际权威的认可。
可以想象，硅衬底LED技术是一项根技术，可以覆盖紫外、蓝光、绿光、电子器件等各项分支技术，由各项分支技术可催生出多链产业，不断开枝散叶，茁壮成长。晶能光电CEO王敏对此非常有信心，他说：江风益教授当选院士是对硅衬底LED技术的又一大贡献，未来五年，通过技术开放、基金支持、筑巢引凤，以硅衬底LED技术为基础，硅衬底LED产业将吸引并孵化上百家企业，在南昌形成300亿元规模的高端特种照明产业集群。
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