根据集邦咨询LED研究中心（LEDinside）最新报告《2019 Micro LED次世代显示关键技术报告》，Micro LED技术发展早期以专利布局为主，以SONY、CREE及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构，直至2014年因APPLE收购LuxVue之后，进而带动其他业者加速发展Micro LED领域。另外，全世界不同区域厂商对于Micro LED布局也有不同的策略及发展。比如台厂以专业代工为主；韩厂以策略合作方式发展；日厂以集团内发展为主；欧美厂商多半以新创公司及学术机构布局于该领域；中国大陆厂商则发展较慢，多半处于研究与评估阶段。
Micro LED发展历程
Micro LED的发展，早期以专利布局为主，在2000年至2013年期间属于“萌芽期”，市场需求不明下仅有少数先驱者进行专利的布局，以SONY、Cree及University of Illinois为最早布局的厂商及研究机构， 2014年之后跃入“成长期”，主要原因是来自于APPLE收购LuxVue之后，并且展现出对于Micro LED显示技术的信心，进而带动其他业者及新创公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等，这两年来已经出现面板厂的专利布局，比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中，在众多Micro LED的专利申请中，前三大专利的技术为巨量转移技术、显示模组技术及芯片制程技术，合计占所有专利的80%。
Micro LED供应链与厂商布局分析
而这几年来国际大厂也纷纷加入Micro LED的技术开发，大多是以购并、成立公司内部新事业单位或新创公司的方式，来进行Micro LED的发展，这些公司以本身既有的专精领域来做垂直或横向的发展，大致可以分为LED磊晶、转移、面板及品牌等方面，在LED磊晶方面，主要以LED磊晶厂发展最适合，而巨量转移部份是技术门槛也是较多厂商投入的领域。中国大陆、中国台湾、韩国、日本及欧美的厂商对Micro LED布局程度也有所不同，比如：中国台湾厂商多半是以专业代工为主，包括友达光电，晶元光电，以及PlayNitride等公司，都与国际大厂进行深入的合作。
中国大陆厂商在Micro LED的发展脚步较慢。最主要原因中国大陆厂商偏好能够快入导入量产的技术。因此对于Micro LED技术多半处于研究与评估阶段。但部分厂商已经悄悄布局与投资。
韩国厂商在显示器领域的技术布局完整。但是由于韩国厂商的主要资源均集中于OLED产品上，因此对于Micro LED技术则是采取策略合作的方式来参与该技术的开发与研究。
日本厂商在Micro LED领域，以SONY最为领先，并且布局完整。但是由于日本厂商的供应链相对封闭，并且多半在集团内自制完成。因此其他的日本厂商主要是以设备商，或是材料商才有办法参与其中。而值得关注的是，日韩厂商由于本身在大尺寸的电视领域已占据主导地位，因此多半聚焦在大尺寸Micro LED显示器技术的开发。
欧美厂商多半以新创公司以及学术机构布局于该领域。近年来随系统大厂逐渐投入开发该技术，并且透过转投资与收购的方式进行专利布局在巨量转移的领域。至于面板领域，则是由于面板的投资金额过高，因此主要与亚洲的面板厂商进行合作开发。特别是欧美厂商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED显示应用，如手机、投影与穿戴装置，因此技术局领域多朝此方面发展。
2019年1月LEDinside针对于2019 Micro LED次世代显示关键技术进行分析。如需详细资料，欢迎来电或来信。谢谢您！
LEDinside 2019 Micro LED次世代显示关键技术报告
出刊时间：2019年01月31日
档案格式：PDF
报告语系：繁体中文 /英文
页数： 213
季度更新：Micro / Mini LED市场观点分析 – 厂商动态、新技术导入、Display Week / Touch Taiwan展场直击（2019年3月、6月、9月；约计10-15页/季）
第一章 Micro LED定义与市场规模分析
Micro LED产品定义
Micro LED产值分析与预测
Micro LED产量分析与预测
Micro LED市场产量分析
Micro LED Display渗透率预测
第二章 Micro LED应用产品与技术发展趋势
Micro LED应用产品总览
Micro LED产品应用规格总览
Micro LED应用产品 – 头戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 头戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 头戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 穿戴式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 手持式装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 手持式装置成本分析
Micro LED应用产品 – 手持式装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – IT装置规格发展趋势
Micro LED应用产品 – IT 显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – IT装置出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 车用显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 车用显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – 车用显示器出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – 电视显示器规格发展趋势
Micro LED应用产品 – 电视显示器装置成本分析
Micro LED应用产品 – 电视出货量与时程表预估
Micro LED应用产品 – LED显示屏规格发展趋势
Micro LED应用产品 – LED显示屏装置成本分析
Micro LED应用产品 – LED显示屏出货量与时程表预估
第三章 Micro LED专利布局分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 历年专利家族分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 区域分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 技术分析
2000-2018 Micro LED专利布局 – 厂商分析
2001-2018 Micro LED专利布局 – 历年巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 – 专利技术总览
巨量转移技术 – 专利技术分类
2001-2018 Micro LED专利布局 – 巨量转移技术专利家族分析
巨量转移技术 – 品牌厂商技术布局分析
巨量转移技术 – 新创公司与研究机构技术布局分析
第四章 Micro LED技术瓶颈与解决方案
Micro LED产业技术总览分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 制造流程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – LED磊晶与芯片制程
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 转移技术/黏接技术/驱动与背板技术
第五章 磊晶技术瓶颈与挑战分析
磊晶技术 – 解决方案
磊晶技术 – 磊晶架构与发光原理
磊晶技术 – 磊晶发光层材料与光效
磊晶技术 – 芯片微缩化的漏电问题造成光效降低
磊晶技术 – 设备技术分类
磊晶技术 – 设备技术比较
磊晶技术 – 外延片关键技术分类
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 波长均一性
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 磊晶缺陷控制
磊晶技术 – 外延片关键技术分类 – 磊晶外延片的利用率提升
磊晶技术 – 适用性分析
第六章 芯片制程技术瓶颈与挑战分析
芯片制程技术 – LED芯片微缩的发展
芯片制程技术 – LED芯片生产流程
芯片制程技术 – 水平，覆晶与垂直芯片结构性之差异
芯片制程技术 – 微型化LED芯片（含蓝宝石基板）切割技术
芯片制程技术 – 微型化LED芯片（不含蓝宝石基板）切割技术
芯片制程技术 – 激光剥离基板技术
芯片制程技术 – 弱化结构与绝缘层
芯片制程技术 – 弱化结构设计
芯片制程技术 – 巨量转移头设计
芯片制程技术 – 传统LED与Micro LED芯片制程差异
第七章 巨量转移技术瓶颈与挑战分析
巨量转移技术 – 转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 拾取放置技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 非选择性拾取技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 选择性拾取技术以提升晶圆利用率
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 修补应用上的选择性拾取技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 影响产能的因素
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 大型转移头尺寸提升产能的方案
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移头精准度要求更高
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移次数和晶圆利用率比较
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 转移运转周期与产能比较
巨量转移技术 – 薄膜转移技术：Apple (LuxVue)
静电吸附+相变化转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术：Samsung
芯片转移与翻转方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 凡得瓦力转印技术介绍
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：X-Celeprint
凡得瓦力转印方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：ITRI
电磁力转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍： Mikro Mesa
利用黏合力与反作用力转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：AUO
静电吸附力与反作用力方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：VueReal
Solid Printing技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Rohinni
顶针对位转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 流体组装技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：eLux
流体装配方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：PlayNitride
流体分散转印技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 激光转移技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 激光转移技术分类
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Sony
激光转移技术
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：QMAT
BAR转移方式
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：Uniqarta
多光束转移技术
巨量转移技术-薄膜转移技术介绍：OPTOVATE
Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
巨量转移技术 – 薄膜转移技术 – 滚轴转写技术流程
巨量转移技术 – 薄膜转移技术介绍：KIMM
滚轴转写技术
巨量转移技术 – Micro LED巨量转移技术上面临七大挑战
巨量转移技术 – 转移制程良率取决于制程能力的控制
巨量转移技术 – 适用性分析
第八章 检测技术瓶颈与挑战分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 检测技术流程
检测技术 – 检测方式
检测技术 – 电特性检测
检测技术 – 电致发光(EL)原理
检测技术 – 光特性检测
检测技术 – 光致发光(PL)原理
检测技术 – 巨量检测技术总览
巨量检测方式 – 光致发光检测技术
巨量检测方式 – 数码相机光电检测技术
巨量检测方式 – 接触式光电检测技术
巨量检测方式 – 非接触式光电检测技术
巨量检测方式 – 非接触式EL检测技术
巨量检测方式 – 紫外线照射光电检测技术
巨量检测技术差异性比较
第九章 维修技术瓶颈与挑战分析
Micro LED技术瓶颈与解决方案总览 – 维修技术
Micro LED维修技术方案
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
Micro LED的坏点维修流程
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
坏点维修技术分析
维修技术方案 – 紫外线照射维修技术
转移头拾取之过程
维修技术方案 – 激光熔接维修技术
维修技术方案 – 选择性拾取维修技术
维修技术方案 – 选择性激光维修技术
维修技术方案 – 备援电路设计方案
Micro LED的主动缺陷侦测设计
第十章 全彩化技术瓶颈与挑战分析
全彩化技术解决方案种类
全彩化技术解决方案 – RGB芯片色彩化技术
全彩化技术解决方案 – RGB在相同晶圆上的量子光子成像
(Qantum Photonic Imager ; QPI)
全彩化技术解决方案 – 量子点的色转换技术
全彩化技术解决方案 – 量子点色转换技术与应用
全彩化技术解决方案 – 量子井的色转换技术
全彩化技术解决方案 – 总览
全彩化技术解决方案 – 适用性分析
第十一章 接合技术瓶颈与挑战分析
接合技术 – 技术分类
接合技术 – 表面黏著技术方案
接合技术 – 共晶波焊组装技术方案
接合技术 – 异方性导电胶(ACF)方案
接合技术 – 异方性导电胶水(SAP)方案
接合技术 – 晶圆结合技术(Wafer Bonding)方案
接合技术 – 晶圆接合 (Wafer Bonding) 困难度分析
接合技术 – Micro TUBE方案
接合技术 – 技术困难度分析
接合技术 – 适用性分析
第十二章 驱动技术瓶颈与挑战分析
驱动技术 – 驱动方案分类
驱动技术 – 驱动IC的重要性
驱动技术 – LED的伏安特性与光通量关系
驱动技术 – 开关电源控制技术分类
驱动技术 – 开关电源控制PWM与Duty Cycle的关系
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 主动式驱动与被动式驱动比较
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 扫描方式与画面更新率
驱动技术 – 显示屏驱动方案 – 小间距显示屏问题点分析
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 液晶显示器之驱动架构
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 主动式驱动 V.S 被动式驱动
驱动技术 – TFT薄膜电晶体 – 影响显示品质之干扰因素分析
驱动技术 – OLED驱动方案 – OLED的光电特性
驱动技术 – OLED驱动方案 – 被动式驱动
驱动技术 – OLED驱动方案 – 主动式驱动
驱动技术 – Micro LED驱动方案 – 被动式驱动
驱动技术 – Micro LED驱动方案 – 主动式驱动
OLED显示器 vs Micro LED显示器电源驱动模组差异性
第十三章 驱动技术瓶颈与挑战分析
背板技术 – 显示器背板的架构
背板技术 – 背板材料的分类
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板与画素开关元件运作原理
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板与画素开关元件特性
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板的尺寸发展
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板胀缩挑战
背板技术 – 整合式背板-玻璃基板搭配开关元件应用现况
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件架构
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板a-Si画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板IGZO画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板LTPS画素开关元件制程
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件解析度差异
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件功耗差异
背板技术 – 整合式背板 – 玻璃基板画素开关元件漏电性差异
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板基板与画素开关元件特性
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板制作流程
背板技术 – 整合式背板 – 可挠式基板材料特性
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板架构
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板制作流程
背板技术 – 整合式背板 – Silicon背板材料特性
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板外观架构
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板结构
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板基材热效应
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板基材差异性比较
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板制作挑战
背板技术 – 非整合式背板 – 印刷电路板尺寸限制
背板技术差异性比较
背板技术 – 适用性分析
第十四章 Micro LED供应链与厂商布局分析
全球Micro LED主要厂商供应链分析
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 中国台湾厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 中国大陆厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 韩国厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 日本厂商
区域厂商产品策略与开发动态分析 – 欧美厂商
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