Author Archives: chen, zac

总投资超50亿，国内2个化合物半导体项目通线、投产
作者 |发布日期 2024 年 12 月 25 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
尽管目前以碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正在被广泛应用，风光无限，但产业界仍然在持续加码以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料，以期挖掘砷化镓、磷化铟材料更长远和更大的价值。 近日，国内又有2个砷化镓、磷化铟相关项目几乎同时披露...  [详内文]

碳化硅相关厂商吉盛微完成A轮融资
作者 |发布日期 2024 年 12 月 25 日 18:00 | 分类 企业
12月24日，据华芯资本消息，吉盛微（上海）半导体技术有限公司（下文简称：吉盛微）近日完成A轮融资，由瑞芯投资、中芯聚源、鲲鹏一创、广州金控集团、定航资本、深创投、盛景嘉成、东元创投、水木创投、横琴丹合资本、盛世投资、甬股交、盛景网联13家机构共同投资。 图片来源：拍信网正版图...  [详内文]

华海清科：化合物半导体刷片清洗装备首台验收
作者 |发布日期 2024 年 12 月 24 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月23日，华海清科在投资者互动平台表示，其化学机械抛光（CMP）装备包含清洗模块，清洗技术均为其自主研发，其自主研发的清洗装备已批量用于公司晶圆再生生产，应用于4/6/8英寸化合物半导体的刷片清洗装备和12英寸单片终端清洗机已实现首台验收。 图片来源：拍信网正版图库 资料显...  [详内文]

业务涉碳化硅，骄成超声总部基地开工
作者 |发布日期 2024 年 12 月 24 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月23日，据“上海骄成”消息，上海骄成超声波技术股份有限公司（以下简称：骄成超声）总部基地及先进超声装备产业化项目于12月21日举行开工典礼。该项目将建设骄成超声总部、研发中心、销售中心、产业化中心等。 source：上海骄成 资料显示，骄成超声成立于2007年，聚焦超声波...  [详内文]

碳化硅/氮化镓产业加速整合，2024年15起收并购一览
作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 产业
收并购是产业发展不可或缺的重要手段，对于企业而言也有一定的积极影响甚至是重要意义。目前，碳化硅/氮化镓产业已进入整合期，厂商收并购事件屡见不鲜。 据集邦化合物半导体不完全统计，2024年以来碳化硅/氮化镓领域共产生15起收并购动态，其中包括涉资数十亿元的大动作。这一系列收并购事件...  [详内文]

碳化硅晶圆检测设备厂创锐光谱完成近亿元融资
作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 企业
企查查信息显示，大连创锐光谱科技有限公司（下文简称：创锐光谱）近期完成近亿元Pre-A轮融资，由光速光合领投，老股东君联资本跟投，融资资金将主要用于技术研发和产能扩容。 资料显示，创锐光谱成立于2016年9月，专注于研发和生产半导体光谱检测设备，主营业务涵盖半导体工业检测和科学...  [详内文]

青禾晶元基于Emerald-SiC复合衬底研发出1200V MOSFET
作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 企业
12月20日，据青禾晶元官微消息，青禾晶元近日与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所合作，共同基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。 source：青禾晶元 据了解，目前，可用于MOSFET制造的无缺陷衬...  [详内文]

5亿，兆驰股份投建化合物半导体激光晶圆产线
作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 18:00 | 分类 企业
12月21日，兆驰股份发布公告，拟投资新建光通信半导体激光芯片项目并建设砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线。 根据公告，兆驰股份拟通过全资子公司兆驰半导体或其下属子公司以自有资金或自筹资金投资建设“年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目（一期）”，并建设砷化镓、磷化铟化合...  [详内文]

美迪凯：第三代半导体封测已实现小批量生产
作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月18日，美迪凯在投资者互动平台对业务进展情况进行了介绍，其中包括第三代半导体相关进展。 据介绍，美迪凯微电子的年产20亿颗（件、套）半导体器件建设项目和美迪凯光学半导体的半导体晶圆制造及封测项目都在按计划推进；公司射频芯片主要为设计公司代工，Normal SAW、TC-SA...  [详内文]

机器人，氮化镓下一个风口？
作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点，以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力，这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前，功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境，并正在逐步向各类应用...  [详内文]