Author Archives: huang, Mia

美国向韩国碳化硅晶圆厂提供39亿贷款
作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分类 企业
11月12日，美国能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44亿美元（折合人民币约39.32亿元）贷款（4.815亿美元本金和6250万美元资本化利息），以扩大用于电动汽车（EV）电力电子设备的高质量碳化硅（SiC）晶圆的在美制造。 公开资料显示，SK Siltron C...  [详内文]

广东珠海100亿碳化硅相关项目投产
作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分类 功率
据珠海网消息，11月14日，总投资约100亿元的珠海奕源半导体材料产业基地项目在金湾区半导体产业园开工建设。 source：观海融媒 据介绍，珠海奕源项目是北京奕斯伟集团聚焦半导体行业上游先进材料，在金湾区打造的集研发、生产、销售于一体的半导体材料产业基地。该项目由华发集团战略...  [详内文]

深重投国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相
作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分类 功率
11月15日，深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会（简称：高交会）上，召开建成发布会。 source：高交会 据介绍，建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。 深圳综合平台主要由三...  [详内文]

印度开发出4英寸碳化硅晶圆工艺
作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分类 功率
据外媒报道，11月11日，印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺，可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制造出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这些器件能够在...  [详内文]

8英寸碳化硅，天科合达北京二期项目正式开工
作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分类 功率
11月12日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。 source：天科合达 据集邦化合物半导体此前报道，二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项...  [详内文]

康佳进军第三代半导体封测
作者 |发布日期 2024 年 11 月 12 日 14:55 | 分类 企业
11月8日，据盐城网消息，康佳芯云半导体科技(盐城)有限公司（下文简称“康佳芯云”）负责人在接受采访时表示，公司正在推动对第三代半导体相关产品的研发，并增加投资以拓展产品线。 资料显示，康佳芯云为康佳子公司，主攻存储领域。旗下项目总投资20亿元，占地100亩，总建筑面积10万平方...  [详内文]

纳微半导体、环球晶圆披露Q3业绩
作者 |发布日期 2024 年 11 月 06 日 18:15 | 分类 产业
今日，纳微半导体、环球晶圆披露了2024年第三季度营收。 纳微半导体：氮化镓产品在多领域取得进展 纳微2024年第三季度总收入为2170万美元（折合人民币约1.55亿元），相较2023年第三季度的2,200万美元和2024年第二季度的2,050万美元有所变化。 本季度的GAAP营...  [详内文]

安世半导体与德国汽车零件供应商达成合作
作者 |发布日期 2024 年 11 月 06 日 18:15 | 分类 企业
11月6日，安世半导体宣布与德国汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。 根据合作条款，安世半导体将开发、制造和供应由KOSTAL设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车（EV）、车载...  [详内文]

国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
作者 |发布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分类 企业
近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaNHEMTs晶圆。 得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级...  [详内文]