Author Archives: huang, Mia

先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目顺利立项

作者 |发布日期 2024 年 12 月 12 日 17:50 | 分类 企业
12月5日,由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省“科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产化开发及应用”项目启动会在滁州市安徽省先进光电子材料及系统产业创新研究院召开。 中国工程院范滇元院士、中国科学院半导体研究所赵德刚研究员、林学春研究员、华中科技大学唐霞辉教授...  [详内文]

8.33亿,Qorvo碳化硅子公司被安森美收购

作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 17:59 | 分类 企业
12月10日,安森美宣布与Qorvo达成协议,以1.15亿美元(折合人民币约8.33亿元)现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务,包括其子公司United Silicon Carbide(UnitedSiC)。该交易需满足惯例成交条件,预计将于2025年第一...  [详内文]

估值超234亿,英诺赛科通过港交所聆讯

作者 |发布日期 2024 年 12 月 10 日 17:58 | 分类 企业
12月9日,港交所披露文件,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”或“公司”)通过聆讯,中金公司、招银国际为联席保荐人。 据悉,港股IPO流程一般包括递表-聆讯-路演-招股-公布配售结果-暗盘交易以及挂牌上市等阶段。 其中,在聆讯阶段,上市委员会审阅新上市申请,...  [详内文]

9.26亿,北京瑞能6英寸功率半导体晶圆厂房完工

作者 |发布日期 2024 年 12 月 09 日 17:59 | 分类 功率
据“顺义科创”官微披露消息,近日,瑞能微恩半导体(北京)有限公司厂房项目已完成全部施工内容,扩建工程已通过竣工验收。 source:顺义科创 据悉,2021年12月15日,瑞能微恩半导体科技(北京)有限公司在顺义落地,租用科创芯园壹号建设“6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地建设...  [详内文]

2025全国氧化镓及相关材料与器件学术交流会邀请函

作者 |发布日期 2024 年 12 月 05 日 15:04 | 分类 企业
邀 请 函 尊敬的各位专家、学者和同仁: 为搭建氧化镓材料与器件研究领域科研技术人员相互交流与合作的平台,促进氧化镓学术、技术的交流合作和产业发展,展示相关领域最新研究成果,进一步推动相关领域基础研究和应用技术的持续创新发展。为此我单位定于2025年1月16-19日在海南省*三亚...  [详内文]

东部高科将与封测厂合作开发碳化硅/氮化镓

作者 |发布日期 2024 年 12 月 04 日 17:58 | 分类 企业
东部高科将与封测厂合作开发碳化硅/氮化镓 据韩媒报道,12月4日,韩国半导体封装企业LB Semicon与晶圆代工厂DB HiTek(东部高科)宣布,双方将合作开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)产品。 目前,东部高科正在推进SiC和GaN半导体业务,而LB Semicon也计...  [详内文]

意法半导体获碳化硅模块新订单

作者 |发布日期 2024 年 12 月 03 日 17:55 | 分类 企业
12月3日,意法半导体和雷诺集团达成了一项多年期协议——作为双方在Amper超高效电动动力系统逆变器电源盒方面合作的一部分,从2026年开始,意法半导体将为雷诺集团供应碳化硅 (SiC) 功率模块。 据悉,Ampere是由意法半导体和雷诺集团共同打造的电动汽车智能制造商。后续,A...  [详内文]

英诺赛科上市备案通过

作者 |发布日期 2024 年 12 月 02 日 17:55 | 分类 产业
11月27日,英诺赛科收到中国证监会发布的《关于英诺赛科(苏州)科技股份有限公司境外发行上市备案通知书》,这意味着其已完成了证监会境外发行上市备案流程,并且获得了证监会对其境外发行上市及股份转换的确认。 文件显示,英诺赛科拟发行不超过106,539,400股境外上市普通股并在...  [详内文]

102亿,日本2家半导体大厂合作生产碳化硅

作者 |发布日期 2024 年 11 月 29 日 17:13 | 分类 企业
11月29日,日本经济产业省宣布,将为日本电装与富士电机共同投资的碳化硅(SiC)半导体项目提供补贴,该项目投资额达2116亿日元(折合人民币约102亿元),补助金额最高达705亿日元(折合人民币约34亿元)。 据悉,在此次合作中,电装将负责生产SiC衬底,而富士电机将负责制造S...  [详内文]

连科半导体8吋碳化硅电阻式长晶炉获得数十台批量验收

作者 |发布日期 2024 年 11 月 28 日 17:50 | 分类 产业
11月28日,据“连城数控”官微消息,近日连科半导体8吋碳化硅(SiC)电阻式长晶炉(型号:PVT-RS-40)在客户现场完成批量验收。 与此同时,连科半导体还成功制备出了直径超210毫米,厚度30毫米的8吋导电型碳化硅晶体,晶体表面光滑无缺陷。 source:连城数控 据介绍...  [详内文]