1月21日,中科院微电子研究所发布消息称,我国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功。该所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作,成功研制出首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件及其电源系统。
这一突破标志着我国在半导体功率器件领域迈向新高度。...  [详内文]
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 |
作者 huang, Mia|发布日期 2025 年 01 月 22 日 17:19 | 分类 功率 |