Author Archives: huang, Mia

TrendForce:2024年全球公共充电桩增长率大幅放缓,中国与韩国引领市场发展趋势

作者 |发布日期 2024 年 11 月 22 日 16:09 | 分类 数据
根据TrendForce集邦咨询最新调查,全球汽车公共充电桩布建受土地和电网规划等因素影响,加上新能源车市场增长放缓,预估2024年增长率为30%,较2023年的60%大幅下滑。分析各主要市场情况,中国仍保有全球最多的公共充电桩,估计至2024年底将达360万座,占全球近70%。...  [详内文]

氧化镓初创公司拓诺稀科技获数百万天使轮融资

作者 |发布日期 2024 年 11 月 20 日 17:30 | 分类 功率
11月14日,香港科技大学(广州)宣布,学校孵化企业“拓诺稀科技”于近日完成天使轮融资。该轮融资数百万元人民币,由力合科创领投。 资料显示,拓诺稀科技成立于2022年,公司专注于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发。 据介绍,拓诺稀科技提供的核心产品涵盖高性能氧化镓肖特基...  [详内文]

总投资30亿!南京国博电子射频项目二期封顶

作者 |发布日期 2024 年 11 月 20 日 17:28 | 分类 射频
11月15日,据中铁建工集团消息,国博射频集成电路产业化(二期)项目主体结构已全面封顶,全面转入二次结构、机电安装及装饰装修施工阶段。 source:中铁建工集团 据悉,国博射频集成电路产业化项目由南京国博电子有限公司投资建设,占地面积约203亩,总投资30亿元,新建厂房及附属...  [详内文]

Wolfspeed宣布重大人事异动:CEO离职

作者 |发布日期 2024 年 11 月 19 日 17:05 | 分类 企业
11月18日,Wolfspeed发布公告称,董事会已决定并同意Gregg Lowe将于本月辞去Wolfspeed总裁兼首席执行官和董事会成员的职务。董事会正在与一家全球高管猎头公司合作,寻找一位新常任首席执行官。 Gregg Lowe(source:美国半导体协会) 目前,董事...  [详内文]

广州粤升半导体商宣布碳化硅外延设备大批量出货

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 17:28 | 分类 企业
11月18日,广州粤升半导体设备有限公司(下文简称“广州粤升”)宣布,公司已在今年9月实现碳化硅(SiC)外延设备的大批量出货。 source:广州粤升 广州粤升表示,此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计,具备生产高质量、高稳定性的外延片生产能力。 资料显示,广州粤升...  [详内文]

美国向韩国碳化硅晶圆厂提供39亿贷款

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分类 企业
11月12日,美国能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44亿美元(折合人民币约39.32亿元)贷款(4.815亿美元本金和6250万美元资本化利息),以扩大用于电动汽车(EV)电力电子设备的高质量碳化硅(SiC)晶圆的在美制造。 公开资料显示,SK Siltron C...  [详内文]

广东珠海100亿碳化硅相关项目投产

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分类 功率
据珠海网消息,11月14日,总投资约100亿元的珠海奕源半导体材料产业基地项目在金湾区半导体产业园开工建设。 source:观海融媒 据介绍,珠海奕源项目是北京奕斯伟集团聚焦半导体行业上游先进材料,在金湾区打造的集研发、生产、销售于一体的半导体材料产业基地。该项目由华发集团战略...  [详内文]

深重投国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分类 功率
11月15日,深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会(简称:高交会)上,召开建成发布会。 source:高交会 据介绍,建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。 深圳综合平台主要由三...  [详内文]

印度开发出4英寸碳化硅晶圆工艺

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分类 功率
据外媒报道,11月11日,印度国防研究与发展组织(DRDO)下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺,可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅(SiC)晶片。此外,他们还已制造出功率高达150W的氮化镓(GaN)HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路(MMIC),这些器件能够在...  [详内文]

8英寸碳化硅,天科合达北京二期项目正式开工

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分类 功率
11月12日,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。 source:天科合达 据集邦化合物半导体此前报道,二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地;项...  [详内文]