Author Archives: lin, lynn

65亿定增获受理，士兰微强化高端功率半导体布局

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 02 日 16:30 | 分类碳化硅SiC

3月1日，士兰微发布公告称，公司向特定对象发行股票的申请已获上交所受理。据悉，士兰微拟向不超过35名特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过65亿元，主要用于以下项目：士兰微指出，年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）的... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 01 日 16:33 | 分类碳化硅SiC

据聊城高新区官方消息，2月28日，在2023聊城（深圳）粤港澳大湾区重点招商项目签约仪式上，深圳市华芯邦科技有限公司（以下简称：华芯邦）投资5.3亿元的碳化硅芯片封装项目成功签约并落户高新区。图片来源：聊城高新区根据公开资料，华芯邦成立于2008年，成立至今一直专注于模拟芯... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 03 月 01 日 16:30 | 分类碳化硅SiC

2022年1月12日，天岳先进正式在科创板上市。彼时，顶着“碳化硅衬底第一股”的头衔，天岳先进被奉为第三代半导体“全村的希望”，其在上市后首份年报扭亏为盈，并成功摘“U”，更令人倍觉前途光明。然而，来到2023年，其公布的2022年业绩，却令人疑惑。 1.75亿！天岳先进20... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 27 日 16:37 | 分类产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

根据长城汽车官网消息，2月26日，长城无锡芯动半导体科技有限公司（以下简称：芯动半导体）“第三代半导体模组封测项目”奠基典礼在无锡举行。图源：长城汽车官网该项目总投资8亿元，建筑面积约30000㎡，规划车规级模组年产能120万套，预计在2023年9月具备设备全面入厂条件，最... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 24 日 16:23 | 分类产业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

据无锡日报报道，2月20日-22日，无锡市委书记杜小刚率无锡代表团，拜访华润集团、光大控股、隆源控股、德昌电机、瑞东集团等香港知名企业，考察香港贸易发展局、香港科学园等机构，推进锡港两地在产业、科创、金融、教育、文旅等领域的对接合作。本次活动还举办签约仪式。其中，华润集团第三代... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 22 日 16:58 | 分类氮化镓GaN

2月22日，捷捷微电发布关于全资子公司功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目变更投资总额的公告。据介绍，捷捷微电于2021年7月召开的董事会上审议通过了《关于对外投资的议案》，同意公司全资子公司捷捷半导体建设“功率半导体6英寸晶圆及器件封测生产线建设项目”，总投资5.1亿... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 14 日 15:52 | 分类碳化硅SiC

据外媒Mid Hudson News 2月11日的报道，安森美于近日正式接管了格芯位于美国纽约州的12英寸晶圆厂，并举行了剪彩仪式。据悉，原公司的1000名技术人员和工程师已顺利过渡到安森美。据安森美总裁Hassane El-Khoury透露，该工厂“将生产支持电动汽车、电动... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 13 日 17:07 | 分类碳化硅SiC

根据京铭资本2月11日发布的消息，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称：天科合达）近期完成了Pre-IPO轮融资，京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家知名投资机构。据悉，2020年7月，天科合达... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 10 日 16:37 | 分类碳化硅SiC

碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据TrendForce集邦咨询不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。其中，碳化硅设备作为碳化硅产业链中的重要一环，也正在飞速发展。近日，多家企业宣布在碳化硅设备领域获得新进展。晶盛机电：... [详内文]

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 02 月 10 日 16:27 | 分类碳化硅SiC

当下，电动汽车渗透率不断增高，同时整车电气架构向800V高压方向演进，这一趋势推动了市场对SiC器件的需求。其中，SiC衬底作为成本最高、技术壁垒最高的环节，其产能却远不足以匹配市场需求，SiC衬底的革新迫在眉睫。扩大SiC衬底尺寸既能增加产能供给，又能进一步降低SiC器件的平... [详内文]