Author Archives: florafeng

AI、机器人、氮化镓等浪潮来袭,英飞凌四大新品亮剑

作者 |发布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
3月14日,英飞凌在2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会(ICIC 2025,以下同)上,就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了深度探讨,其首次在国内展示了英飞凌的两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆,引起行业诸多关注。 英飞凌...  [详内文]

安世半导体推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET

作者 |发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分类 碳化硅SiC
近日,Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色,采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑,尺寸仅为14 mm ×18.5 mm,巧...  [详内文]

意法半导体与重庆邮电大学战略合作

作者 |发布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分类 碳化硅SiC
近日,意法半导体与重庆邮电大学在重庆安意法半导体碳化硅晶圆厂通线仪式后的“碳化硅产业发展论坛”上正式签署产学研战略合作协议。 双方将在以下三方面展开产学研资源深度融合: 共建创新平台:意法半导体在智能功率技术、宽禁带带隙半导体、汽车芯片、边缘人工智能、传感以及数字和混合信号技术等...  [详内文]

安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利

作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分类 氮化镓GaN
近日,国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。 专利摘要显示,本发明涉及半导体激光元件技术领域,具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]

​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

作者 |发布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分类 功率
近日,安森美推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列。与使用第7代场截止(FS7)IGBT技术相比,安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度,从而...  [详内文]

芯联集成获联合电子“卓越技术创新奖”

作者 |发布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分类 碳化硅SiC
近日,联合电子2025年供应商大会隆重举行,芯联集成作为联合电子的重要供应链合作伙伴出席此次大会。会上,芯联集成控股子公司芯联动力,凭借高性能碳化硅(SiC)MOSFET等技术产品供应,荣获“2024年度供应商卓越技术创新奖”。 作为一家半导体产业界的创新科技公司,芯联集成致力于...  [详内文]

CGD官宣突破性技术

作者 |发布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分类 氮化镓GaN
近日,CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓(GaN)技术,目标瞄准规模超百亿美元的电动汽车市场。革命性的 Combo ICeGaN® 方案通过将智能化的ICeGaN® HEMT与传统IGBT 组合并封装于同...  [详内文]

东芝功率半导体后道生产新厂房竣工

作者 |发布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分类 功率
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上,并将于2025财年上半年开始全面生产。 功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件,在电力供应和...  [详内文]

纳微助力长城电源打造超高功率密度模块电源

作者 |发布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分类 氮化镓GaN
纳微半导体宣布其搭载GaNSense™技术的GaNFast️™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链,成功助力其打造AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。 AI的迅猛发展对数据中心提出了更高的算力要求,为了容纳更多的GPUs进行计算,400V独立机柜的架构将成为数据中心的全...  [详内文]

中微公司:刻蚀设备反应台全球出货超5000台

作者 |发布日期 2025 年 03 月 13 日 17:12 | 分类 企业
3月12日,中微公司宣布其等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台,涉及CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。 中微公司介绍,等离子体刻蚀机,是光刻机之外,最关键的、也是市场最大的微观加工设备。由于微观器件...  [详内文]