文章分类： 碳化硅SiC

瀚天天成进入问询期！碳化硅企业争上市

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 25 日 17:45 |
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| 分类: 碳化硅SiC
上交所科创板官网显示，1月24日，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司（以下简称：瀚天天成）申请上交所科创板上市审核状态变更为“已问询”。 募资350,265万，瀚天天成扩大产能规模 瀚天天成主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售，产品用于制备碳化硅功率器件，被广泛应用于新能...  [详内文]

理想汽车与安森美续签长期订单！SiC加速上车

作者 | 发布日期: 2024 年 01 月 09 日 13:58 |
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| 分类: 碳化硅SiC
今（9）日，安森美正式宣布与理想汽车续签长期供货协议。 图源：安森美 据悉，理想汽车已在其增程式电动车型（EREV）中采用安森美成熟的800万像素图像传感器，而在此次协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片，并继续...  [详内文]

三安光电公布6英寸SiC最新产能规划

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 26 日 17:43 |
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| 分类: 碳化硅SiC
12月25日，三安光电在互动平台表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）产能为1.5万片/月，预计2023年末至2024年初，产能规划扩产至1.8万-2万片/月。三安光电称，公司8英寸SiC产品已进行了小批量试生产，衬底产品良率水平居国内前列且稳步提升。 据悉，湖...  [详内文]

8英寸SiC领域又一强强联合！

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:32 |
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据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG就8英寸SiC技术达成合作，IME的8英寸开放式R&D SiC试产线将与centrotherm...  [详内文]

碳化硅设备厂商特思迪完成B轮融资，发力8英寸

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 31 日 17:39 |
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| 分类: 碳化硅SiC
昨日（10/30）日，半导体设备初创企业北京特思迪半导体设备有限公司（以下简称“特思迪”）宣布完成B轮融资，投资方包括：临芯投资、北京市高精尖基金、尚颀资本、中金启辰、优山资本、芯微投资、长石资本、浑璞资本、博众信合、安芯投资及洪泰基金。 值得一提的是，2022年初，华为哈勃投资...  [详内文]

SiC厂商中瑞宏芯获光伏逆变器、汽车电子头部企业投资

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:37 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，苏州中瑞宏芯半导体宣布完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆领头公司禾迈股份和汽车电子头部供应商纳芯微联合投资。 中瑞宏芯成立于2020年，创办人包括瑞典归国技术专家和国内功率半导体行业顶尖产品开发团队，致力于开发新一代节能高效SiC功率芯片和模块，在SiC功率半导体领域已...  [详内文]

三安8英寸SiC衬底准量产、车规级MOS验证提速

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 24 日 14:03 |
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| 分类: 碳化硅SiC
2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展会上首发8英寸SiC碳化硅衬底，正式跻身国内8英寸衬底阵列。在此基础上，湖南三安加快了8英寸衬底的生产和销售，目前进展效果显著。 图片来源：湖南三安 三安8英寸SiC衬底已小批量生产及送样 昨日（10/23）晚间...  [详内文]

科友半导体首批8英寸SiC衬底下线

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 17 日 17:38 |
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| 分类: 碳化硅SiC
在大尺寸材料愈加受到青睐之际，国产碳化硅SiC衬底企业开启快速追赶国际厂商的模式，不断在8英寸SiC衬底领域取得突破。 截至目前，已有超10家国产企业研发出8英寸SiC衬底，并在此基础上加快产业化的进程，包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、中科院物理所、山东大学...  [详内文]

Scenic与Acretech联合助力SiC晶圆加工

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 16 日 17:42 |
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| 分类: 碳化硅SiC
当地时间10月16日，Scenic在最近于意大利索伦托举行的“国际SiC会议（ICSCRM 2023）”上公布了结合其晶圆加工工艺技术和Acretech韩国设备技术的新型研磨机和化学机械抛光（CMP）技术。 CMP 是一种平整（抛光）SiC 表面细微凹凸的工艺。Scenic 和 ...  [详内文]

64.5亿！香港将建一座8英寸SiC晶圆厂

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 16 日 17:35 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据中新社香港报道，香港科技园公司与杰平方半导体(上海)有限公司（以下简称：杰平方）于10月13日在中国香港签署合作备忘录，双方将在香港科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首家碳化硅（SiC）8英寸先进垂直整合晶圆厂。 杰平方介绍，8英寸SiC先进垂直整合晶圆...  [详内文]