近期，济南发布《2025年国民经济和社会发展计划》，提出要加快培育产业新动能，打造第三代半导体产业高地，加快推进山东中晶芯源碳化硅单晶和衬底项目、山东天岳碳化硅材料产业化项目建设，加大碳化硅上下游领域布局力度，争取集成电路关键材料和第三代半导体项目获得国家支持。
近年济南市依托政策扶持、技术创新及产业链整合，第三代半导体产业呈现高速发展态势。济南宽禁带半导体产业园汇聚山东天岳、山东晶镓、比亚迪半导体等龙头企业，涵盖材料、芯片、器件、封测的完整产业链。
济南碳化硅领域，以天岳先进、中晶芯源等公司为代表
山东天岳先进科技股份有限公司成立于2010年，是一家专注于碳化硅衬底材料的高科技领军企业，2022年成功登陆A股科创板。目前该公司已掌握世界最大尺寸12英寸碳化硅衬底的生产技术。在SEMICON China2025展会上，天岳先进全方位展示了6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵,包括12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电p型及12英寸导电n型碳化硅衬底。
source：天岳先进
天岳先进在p型重掺杂、大尺寸碳化硅衬底制备等关键技术上已取得系列突破，并稳固掌握晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等全技术链条。
山东中晶芯源半导体科技有限公司成立于2023年05月19日，注册地位于山东省济南市历城区彩石街道虎山路889号，该公司专注于碳化硅（SiC）单晶衬底材料的研发、生产和销售，其技术来源于山东大学晶体材料国家重点实验室，拥有20多年的碳化硅单晶衬底开发经验。
该公司与山东大学建立了全方位的产学研合作关系，设有山东大学晶体材料国家重点实验室产业化基地、山东大学研究生联合培养基地和山东大学-中晶芯源碳化硅半导体联合实验室。
氮化镓领域，以山东晶镓等公司为代表
山东晶镓半导体科技有限公司成立于2023年8月，主要从事氮化镓（GaN）自支撑单晶衬底的研发、生产和销售。
今年4月， 媒体报道山东大学与山东晶镓半导体有限公司在4英寸高质量GaN单晶衬底制备方面取得的重大突破：结合多孔衬底技术和应力调控策略成功获得了低应力、高质量的4英寸GaN单晶衬底。该4英寸GaN衬底在尺寸、晶体质量（FWHM平均值为57.91″，位错密度为~9.6×105cm-2)、应力均一性和表面质量方面（无损伤、Ra<0.2 nm）均表现优异，达到国际先进水平，为高功率、高频器件的批量制备奠定了基础。
source：晶镓半导体（图为GaN衬底测试结果）
展望未来，随着产业链完善和技术迭代，济南有望成为全国第三代半导体产业的核心增长极，为国内半导体产业自主可控贡献力量。（集邦化合物半导体 秦妍 整理）