近期，第三代半导体领域动作频频，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）两大技术路线均有新品亮相，如英飞凌、英诺赛科、华润微电子、派恩杰半导体不断推出新产品，为功率器件市场注入新活力。
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
4月22日，英飞凌官微宣布推出CoolGaN™ G5中压晶体管。据悉，这是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。
source：英飞凌官微（图为集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管）
据英飞凌介绍，该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。
英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解功率损耗问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。
此外，采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。
英诺赛科发布1200V氮化镓（GaN）产品
4月14日，英诺赛科发布公告，官宣其自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品并表示已实现量产。
英诺赛科表示，这款1200V氮化镓（GaN）产品在新能源汽车800V平台，可提升车载充电效率并缩小体积，扩大续航里程并降低成本；在高压母线的AI数据中心架构及工业电源领域，有助于实现数据中心电源高效高密度的转换以及工业电源的小型化和高效化。
此外，凭借宽禁带特性，该款产品在高压高频场景优势显著，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源汽车、工业以及AI数据中心等领域。
华润微电子发布新SiC主驱模块
4月19日，华润微电子功率器件事业群推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。
根据公司介绍，该系列模块兼具SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能。
source：华润微电子
华润微电子新款SiC主驱模块采用自主设计的Si3N4 AMB、银烧结、DTS工艺，均流特性好，寄生电感小。并且集成NTC温度传感器，易于系统集成；6管/8管并联，通过对Vth的严格分档提高芯片一致性。
派恩杰半导体推出SiC HPD模块系列-PAAC12450CM
4月16日，派恩杰半导体宣布推出SiC HPD模块系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有较小的RDSON温漂特性，在其6并联的布局设计，与传统的8并联竞品方案实现了相近的功率密度，带来更高效、更可靠的逆变器解决方案。
派恩杰半导体表示，PAAC12450CM 采用了高度优化的HPD布局设计，从电流均流和寄生电感两方面提升整体性能，为新能源汽车制造商提供更可靠的选择。此外，派恩杰的独特芯片设计，使得芯片的导通电阻受温度影响较小，可以有效抑制实际高温工况下的功率输出衰减。（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）