近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。
01 清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台
4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。
source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化）
在此之前，清纯半导体第一代产品的比导通电阻为3.3 mΩ·cm²左右，2023年发布的第二代产品为2.8 mΩ·cm²，2024年进一步降低至2.4 mΩ·cm²。该平台通过专利技术和工艺完善，在降低导通电阻的同时，保持了与前两代相近的优良短路耐受特性。这使得新能源汽车电机驱动器能够进一步释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。
source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化）
source：清纯半导体（图为S3M008120BK芯片输出特性）
据悉，该产品额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效的芯片面积下，与上一代技术相比导通损耗降低约20%，能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。
source：清纯半导（图为S3M008120BK芯片与2代同类产品反向恢复波形对比）
在动态性能方面，S3M008120BK在相同芯片尺寸下寄生电容进一步降低，提高了开关速度，且显著改善了MOSFET体二极管的反向恢复特性，峰值电流Irrm实现了近30%的降低，同时软度tb/ta得到了大幅优化，电压过冲Vrrm也得到了显著改善。
清纯半导体表示，新品继承了前两代产品在可靠性方面的优势，包括通过了传统栅极可靠性试验对HTGB的考核等加严可靠性试验的测试。其结果表明，第三代产品更适合主驱等多芯片并联应用场景，以确保系统在长期使用后依然具有较优的均流特性。
值得注意的是，今年1月9日，清纯半导体与士兰微电子深化8英寸SiC量产线技术支撑与代工合作。士兰微电子的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线预计2025年一季度封顶，四季度末初步通线，2026年一季度试生产。双方将共同开发包括沟槽型SiC MOSFET等新产品，清纯半导体将为士兰微电子8寸碳化硅量产线提供技术支撑，士兰微电子则为清纯半导体提供独家代工服务。
近期，士兰微官方表示，其已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。
02、VBsemi第三代SiC MOSFET发布
近期，VBsemi（微碧半导体）针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）等关键领域，推出多款基于第三代SiC技术的MOSFET产品。
官方资料显示，VBsemi的第三代SiC MOSFET采用先进SiC工艺，开关损耗降低50%以上，系统效率突破96%。与IGBT方案相比，其显著减少热能损耗，简化冷却设计。
source：VBsemi（图为VBsemi MOSFET为快充与储能优化设计）
据悉，其具备高功率密度。小封装（如T0247、T02474L）支持高电流输出，节省PCB空间。例如VBsemi VBP112MC100在100A电流下导通电阻仅21mΩ，适合大功率密集部署。其全系列器件已通过严格的动态参数测试，确保高温、高湿等严苛环境下的稳定性。
在近日举办的慕尼黑上海电子展上，VBsemi展示了其在功率半导体领域的最新技术与产品，包括VBP112MC100、STD45N10F7-VB、VBGQT1102、VBGM1102、VBGL1103、VBGL1805、VBGE1805等，吸引了众多行业同仁和客户的关注。（集邦化合物半导体竹子整理）