Q1：近期贵公司在碳化硅芯片领域取得了哪些突破？
彭建华：方正微电子从2023年底实现车规主驱SiC MOS芯片量产，2024年进一步提升生产制造质量与良率，夯实基础。
在关键的新能源汽车市场，无论是产品性能质量，还是出货量，方正微电子均处于国内领先地位。另外在光储充UPS等工规应用领域，公司也取得显著进展，我司SiC产品已广泛应用于行业头部客户的光储充UPS系统解决方案。
我们将实现交付车规主驱SiC MOS芯片上新能源乘用车数量从几万辆车到数十万辆车的历史跨越。
总体来看，方正微电子是目前国内对SiC领域投入最大的厂家，无论是产线建设还是技术研发的投入都是最大的，已建成目前国内车规SiC MOS最大的实际产能。且公司非常重视供应可连续性、供应链安全，构建了从原材料到生产制造的国产供应链，积极支持国产材料、设备的发展。
source：方正微电子
Q2：新能源汽车对SiC器件的需求激增，贵公司在该领域的进展如何？
彭建华：方正微电子的车规SiC MOSFET已经大规模交付国内头部OEM厂商以及Tier1厂商，尤其是乘用车主驱SiC MOS出货进入行业第一梯队。主驱用SiC MOS产品的核心性能指标可比肩国际头部同行产品，个别指标处于领先地位，产品质量获得了客户的高度认可。
公司的车规产品在行业内率先通过了3000小时的可靠性测试，测试时长3倍于行业车规认证要求，在可靠性等关键技术工艺上有关键突破以及长期积累。
source：方正微电子
Q3：您怎样看待8英寸SiC产业的发展，贵公司目前进展如何？
彭建华： 英寸SiC转型的主要动机之一是降低成本，但近年来6英寸衬底价格下降速度太快，因此8英寸晶圆与6英寸晶圆的成本平衡点会推迟。另外，国内的6英寸SiC产品技术与制造工艺能力还有很大的提升空间，加上目前产业产能过剩，供应远大于需求，因此应谨慎对待8英寸技术升级与投资。
方正微电子的整个FAB 2是基于8寸做的设计，目前我司基于8寸线已成功产出第二代车规主驱SiC MOS，方正微电子在8英寸的进展上，处于行业一梯队。
Q4：您认为当前国内SiC产业链的主要短板是什么？如何突破？
彭建华：当前国内最主要的短板还是体现在晶圆制造和设备环节。虽然SiC芯片制程难度不如逻辑芯片的先进制程，但要把产品做好并不容易，在车规质量与关键工艺上等同先进制程工艺难度。
部分国内厂商过于追求性能指标，忽视了产品质量，牺牲比如栅氧等环节的工艺质量，导致器件寿命大幅缩短，可靠性存在风险，引发应用端的失效事故。另外，目前仍有少部分碳化硅设备高度依赖进口，也是国内的短板的之一。
我们呼吁，国内供应商，要守住质量的底线，投资在可靠性等核心工艺上的研发技术与制造工艺上。
Q5： 国内SiC产业竞争激烈，贵公司如何通过差异化策略突围？
彭建华：方正微电子始终瞄准下游头部客户的核心需求，从产品质量、性能等角度提升公司实力，通过技术提升与制造规模实现成本降低。
秉承“探索一代，研究一代，开发一代、量产一代”的发展理念，通过大规模的研发技术与制造工艺投入，进行持续的工艺迭代，并与实验室、高校、科研平台进行合作，促进技术成果转化。
另外一点是稳步推进产能建设，确保对客户的稳定交付，提升客户满意度。以客户为中心，通过提供高品质产品与服务以及高强度的研发与产能规模，赢得竞争优势。
Q6：2025年贵公司的运营重点和业务规划是怎样的？
彭建华：首先是做好客户交付工作，确保给头部OEM厂以及Tier1的产品供应高质量；其次是持续压强投入技术研发与工艺提升，加快新一代工艺平台的开发；另外就是做好FAB 2的扩产工作。2025年是方正微电子发展过程中最关键的一年，我们将实现交付车规主驱SiC MOS芯片上新能源乘用车数量从几万辆到数十万辆的历史跨越。
我们相信，首先要把产品做好，交付服务做好，产能供应建设好，产品有竞争力，构建方正微电子的高质量品牌，与客户做长期的战略发展伙伴，做中长跑选手，不牺牲质量去追求短期的利益，树立好的口碑，这是我们的经营理念。（集邦化合物半导体整理）