过去一年，碳化硅在工艺技术和生产效率方面取得了重大进展，全球8英寸碳化硅晶圆已进入技术成熟与规模应用阶段。
近期，意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI对外谈及了8英寸碳化硅未来发展。
Francesco表示，迈向8英寸是碳化硅行业取得的一次巨大进步，大尺寸晶圆带来了更高良率以及更低的制造成本。意法半导体与三安在中国重庆投资成立了一家8英寸SiC功率器件合资制造厂（安意法半导体有限公司），计划今年第四季度投开始投产，2028年全面建成。
source：意法半导体
此前，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询指出，碳化硅从6英寸升级到8英寸，衬底的加工成本有所增加，但可以提升芯片产量，8英寸能够生产的芯片数量约为6英寸碳化硅晶圆的1.8倍，向8英寸转型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同时，8英寸衬底厚度增加有助于在加工时保持几何形状，减少边缘翘曲度，降低缺陷密度，从而提升良率，采用8英寸衬底能够大幅降低单位综合成本。
另据业界透露，8英寸碳化硅正驱动多个应用场景爆发，电动汽车领域800V平台成为标配；光伏领域碳化硅器件效率达98%以上，光储一体化方案成为行业标配；此外在新兴市场，8英寸衬底可生产3-4副AR眼镜，成本下降将加速AR眼镜等应用发展。
产能布局上，中国凭借产能、成本及政策优势不断成为8英寸碳化硅市场主导力量，欧美日企业则通过技术升级与合资合作应对竞争。
展望未来，随着成本持续下降与应用场景拓展，碳化硅技术有望引领全球半导体产业进入高效、低碳的新纪元。（集邦化合物半导体秦妍整理）