4月8日，士兰微发布公告，披露了士兰微碳化硅（SiC）项目的最新进展。在SiC芯片技术研发与量产方面均取得显著成果，产能建设与技术突破齐头并进。
source：士兰微
“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目：产能释放
截至目前，士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于士兰微自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，随着6吋SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。
目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。
“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目：实现通线
截至目前，士兰集宏8吋SiC mini line已实现通线，士兰微Ⅱ代SiC芯片已在8吋mini line上试流片成功，其参数与士兰微6吋产品匹配，良品率明显高于6吋。
士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。
source：士兰微
公开资料显示，士兰集宏项目达产后可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，并带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。
士兰微的SiC突围战
士兰微成立于1997年，总部坐落于杭州高新技术产业开发区，聚焦集成电路芯片设计及半导体微电子相关产品生产。作为国内集成电路设计行业的领军企业，士兰微已掌握多项核心技术，产品涵盖功率半导体、传感器、MCU和LED等多个领域。公司采用IDM模式，实现从设计到制造的全产业链整合。
士兰微近年来在碳化硅（SiC）领域加速布局，不仅在产能上采取“双线作战”模式：6英寸上量，快速响应市场需求；8英寸冲刺，瞄准未来车规级芯片市场；还通过多轮增资优化资本结构，如将子公司“士兰集宏”注册资本增至42.1亿元，与厦门半导体共同增资16亿元扩建士兰集科等。
在业绩上，根据2024年度业绩预告，士兰微2024年业绩实现了同比扭亏为盈，预计2024年度实现归属于母公司所有者的净利润为1.5亿元到1.9亿元。
source：士兰微
目前，士兰微产品覆盖汽车主驱模块、光伏逆变器等高端领域，客户包括比亚迪、汇川、吉利等头部厂商。
从产能建设到技术突破，从产品矩阵到客户体系，士兰微的SiC突围战精准发力，以创新驱动破局。随着全球新能源汽车市场的持续爆发式增长以及光储行业的蓬勃兴起，士兰微也迎来了新的发展机遇。
本次公告中士兰微也进一步表明，将加快实施“一体化”战略，持续加大对模拟电路、功率半导体、MEMS 传感器、包括 SiC、GaN在内的第三代化合物半导体等方面的投入。（集邦化合物半导体 妮蔻 整理）