SEMICON China 2025期间，中国电科第二研究所胡北辰博士代表电科装备作“大尺寸SiC衬底制备整线解决方案”的专题报告。 
source：中国电科
胡北辰博士指出，SiC单晶生长与切磨抛加工是第三代半导体器件成本降低、良率提升的重要工艺环节。针对这一重点问题，2所以“装备+工艺+服务”的理念，面向行业迫切需求，将电科装备的单晶生长、激光剥离、晶锭/晶圆减薄、化学机械抛光、缺陷检测等核心设备产品有机结合，并融入信息化系统，形成了大尺寸碳化硅晶片生长加工的整线智能制造解决方案。
与传统的材料加工自动化程度不高、重点依赖人力相比，该方案核心设备都具备高度自动化能力，且通过协作机器人在机台间的物料传输，实现整线协同控制与柔性调度，减少设备等待时间，提高整体生产效率。同时，自动化生产流程能让人为误差降至最低，保障产品良率和一致性，配套的全流程数据记录与分析也更利于工程师快速定位质量问题根源，不断改进生产工艺。 该方案通过晶体生长与加工多工艺协同优化，可将8英寸单片切割时间由90分钟缩短到25分钟左右，单片加工损耗从220微米降低到80微米，助力客户实现降本增效，提升产品竞争力。 目前该解决方案已获得市场积极反馈，进入用户产线开展试验验证，并与多家头部企业达成意向合作。（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。
