近日，Nexperia（安世半导体）正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。
此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性能表现。这些器件在电池储能系统(BESS)、光伏逆变器、电机驱动器以及不间断电源(UPS)等工业应用场景中表现卓越。此外，在包括充电桩在内的电动汽车充电基础设施领域同样能发挥出众效能。
X.PAK封装允许将散热器直接连接至引线框架，进一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散热性能，实现从外壳顶部高效散热。这一设计有效降低了通过PCB散热所带来的负面影响。同时，Nexperia的X.PAK封装使表面贴装组件具备低电感特性，并支持自动化电路板封装流程。 新款X.PAK封装器件具备Nexperia SiC MOSFET一贯的优异品质因数(FoM)。
其中，RDS(on)作为关键参数，对导通损耗影响显著。然而，许多制造商往往仅关注该参数（常温）的标称值，却忽略了一个事实，即随着器件工作温度的升高，标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的导通损耗。与之不同，Nexperia SiC MOSFET展现出出色的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度区间内，RDS(on)的标称值仅增加38%。（集邦化合物半导体整理）
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