据扬州市刊江区人民政府网消息，3月10日，扬杰科技中央研究院正式获批成为省级重点实验室，标志着其在半导体功率电子领域的研发实力和创新能力得到了官方的高度认可。
据悉，该实验室的成立旨在聚焦半导体功率电子领域的关键技术问题，通过产学研深度融合，推动我国功率半导体产业的高质量发展。
公开消息显示，扬杰科技中央研究院按照国内一流电子实验室标准建设，总建筑面积达5000平方米，分为可靠性实验室、失效分析实验室、模拟仿真实验室和综合研发实验室。实验室已通过CNAS（中国合格评定国家认可委员会）认证，具备芯片设计模拟仿真、环境测试、物理化学失效分析以及产品电、热及机械应力模拟仿真等多项功能。
中央研究院整合了扬杰科技的多个研发团队，涵盖SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三极管芯片等多个领域。此外，该公司还与东南大学共建“宽禁带功率器件技术联合研发中心”，专注于第三代半导体的研发及产业化。实验室的成立将进一步推动公司在高端功率半导体器件领域的技术创新，特别是在SiC、IGBT等关键产品上实现技术突破。
扬杰科技中央研究院获批省重点实验室后，将重点解决大功率半导体器件的前沿技术和共性关键技术，助力我国在IGBT等新型功率半导体器件领域实现技术自主可控。此外，实验室还将为扬杰科技新产品开发、技术瓶颈突破以及市场版图扩展提供强有力的保障。（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。