在半导体行业持续创新发展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，正逐渐成为行业焦点。近期，芯联集成与南京国博电子发布的最新财报，芯联集成在碳化硅（SiC）业务上实现高速增长，营收大幅提升且减亏明显；南京国博电子虽业绩承压，但在氮化镓（GaN）业务方面积极进取，多个芯片产品成功开发并交付，产业化项目技术升级稳步推进。
芯联集成：业绩上扬，SiC业务成增长引擎
根据芯联集成2024年度业绩快报，公司营业总收入达到65.09亿元，同比增长22.25%。尽管仍处于亏损状态，但净利润为-9.68亿元，同比减亏50.57%，这一积极变化表明公司盈利能力正在逐步改善。
目前，碳化硅业务已成为芯联集成的第二增长曲线，2024年该公司SiC业务收入达10.16亿元，较上年增长超100%。2025年，在碳化硅产业迈向8英寸产能转换的关键节点，芯联集成率先开启8英寸碳化硅生产，在技术升级的赛道上抢占先机。2025年1月，李强总理的调研，体现了国家对半导体产业尤其是碳化硅领域的重视，为芯联集成注入了强大的发展动力。
此外，值得注意的是，在车载领域，芯联集成实现收入约32.53亿元，同比增长约41.02%。公司深度布局整车约70%的汽车芯片平台数量，以功率芯片及模组、传感类产品为主，提供完整代工方案，深度融入车规芯片国产化进程。
展望2025年，芯联集成预计新平台、新应用的推广以及新产能的投产，将推动模拟IC、模组、SiC及MEMS业务显著增长。随着新型电源需求的不断攀升，芯联集成有望步入高速增长期。预计毛利率将稳步提升，公司计划在2026年实现全面盈利。
南京国博电子：业绩承压，氮化镓业务蓄势待发
南京国博电子2024年度业绩快报显示，营收25.91亿元，较上年同期下降27.36%；营业利润5.14亿元，下降21.42%；利润总额5.14亿元，下降21.35%；归属于母公司所有者的净利润4.85亿元，下降20.06%；扣除非经常性损益的净利润4.77亿元，下降16.52%。
据悉，该公司营收下滑的主要原因是有源相控阵T/R组件和射频模块业务收入减少。
面对业绩下滑，南京国博电子正在氮化镓业务上发力。一方面，加强与上下游企业的合作，完善氮化镓产业链布局，降低生产成本；另一方面，该公司不断加大研发投入，提升氮化镓射频芯片的性能和可靠性，以满足市场对高性能、高可靠性射频芯片的需求。
据悉，在2024年上半年，南京国博电子成功开发完成WiFi、手机等射频放大类芯片产品，其性能达到国内先进水平。自2024年下半年起，多个射频开关被客户引入并开始批量交付，同时DiFEM相关芯片也实现量产交付。针对5G通感基站应用，在2024年全年持续进行基站射频芯片的性能优化工作，目前产品规格已达到国际领先水平。
在产业化项目技术升级方面，从2024年年初启动的射频芯片和组件产业化项目，计划在未来2-3年内，重点实现毫米波和太赫兹T/R组件设计技术能力、工艺制造技术能力等的进一步提升，同时也将致力于移动通信射频芯片和微波毫米波芯片设计研发、在片测试能力的提升。（集邦化合物半导体Emma整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。