英诺赛科宣布发布新品GaN 功率 IC：
采用TO-247-4L 封装，集成栅极驱动和短路保护的 GaN 功率 IC，适用于高功率密度和高效率的大功率应用。
ISG612xTD SolidGaN IC
ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ（最大25C）。
ISG612xTD系列采用精密Vgs栅极驱动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装，具有出色的热性能。这些配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统方案高2~3倍。
产品包含
ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD
该系列产品还配备了内置保护，包括DESAT保护、输入UVLO和OTP，能够进一步确保设备的稳健性和系统安全性。
产品性能
集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度栅极钳位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引脚，可直接替换
10V~24V输入电压范围支持主流驱动器和控制器生态
内置米勒钳位，无需负压关断，支持高达100V/ns开关速度
集成短路保护，欠压保护，过温保护，增加系统鲁棒性
应用优势
高开关频率
高功率密度
高散热能力
高抗干扰能力
简单易用
高可靠性
应用领域
适合500W-4KW大功率电源和马达驱动
可广泛应用于服务器电源，空调电源，汽车OBC
作为行业首发的大功率合封氮化镓产品，ISG612XTD SolidGaN IC将先进的700V E型GaN FET无缝集成，为电力电子的性能、易用性和可靠性设定了全新标准，有望成为高效率、高安全性的终端应用系统的关键器件。
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