近年，印度积极推动半导体产业发展，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体正受到极大关注。
近期，外媒报道，印度信息技术部长阿什维尼·瓦伊什纳透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同时，印度也正在研发氮化镓芯片。
据悉，印度已向位于班加罗尔的科学研究所 (IISc) 拨款 33.4 亿卢比（约2.8亿人民币），将用于氮化镓的技术研发，用于电信和电力领域。
报道指出，IISc的一组跨学科教员已成功研发了印度首个电子模式氮化镓功率晶体管，其性能达到高标准，为氮化镓技术的产业化应用奠定了坚实基础。
今年1月，印度首个碳化硅半导体工厂在奥里萨邦正式奠基，预计三年内完成建设，将专注于生产碳化硅等产品，以满足电力电子、可再生能源系统以及电动汽车的需求。据悉，该项目由RIR Power Electronics Limited公司打造，总投资额达62亿卢比（约25亿元人民币）。
稍早之前，媒体报道，印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺，可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制造出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这些器件能够在最高X波段频率的应用中发挥作用。（集邦化合物半导体整理）
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