近日，碳化硅领域喜讯频传，中国电科、三安光电和中瓷电子纷纷在业务上取得关键突破，为第三代半导体产业发展注入新动力。
中国电科：30台套SiC外延设备顺利发货
近日，据中国电科官微消息，其所属的48所成功实现第三代半导体SiC外延设备的首次大规模批量发货，共计30台套。截至目前，中国电科已累计出货百余台套，并在客户现场稳定运行。
据悉，SiC（碳化硅）外延设备是第三代半导体器件制造的核心关键设备之一。与传统的硅基半导体相比，SiC材料具有耐高温、耐高压和高导电性等优势，广泛应用于新能源汽车、5G通信、航空航天等领域。然而，由于技术门槛高、设备复杂，SiC外延设备的研制和产业化一直是全球半导体领域的难题。
此次大规模发货，将有力推动国内SiC器件制造企业的产能提升和技术升级。随着更多SiC外延设备投入使用，国内碳化硅产业在材料制备环节将更加成熟，有助于降低碳化硅器件成本，提高产品性能，进而促进碳化硅在新能源汽车、5G通信、智能电网等领域的广泛应用。
三安光电：湖南三安的碳化硅产品已实现向维谛技术供货
2月17日，三安光电在投资者互动平台透露重要消息，湖南三安的碳化硅产品已成功向维谛技术供货，供货金额达到千万级别。此前三安光电与维谛技术签订战略合作协议，维谛技术专注于数据中心液冷系统。此次成功供货，不仅是双方合作的重要成果，也标志着三安光电在碳化硅产品市场拓展上迈出坚实一步。
据悉，在碳化硅功率器件方面，三安光电成绩斐然。针对工业级市场，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已实现量产；面向车规级市场，车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiC MOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。随着供货维谛技术，其在数据中心、工业电源等领域的市场份额有望进一步扩大。
中瓷电子：国联万众公司SiC MOSFET芯片产品已实现量产
中瓷电子近期在碳化硅业务上也有新进展，其全资子公司国联万众SiC MOSFET芯片产品已实现量产，模块产品目前处于小批量供货阶段。此前，国联万众公司电驱用1200V SiC MOSFET芯片已研发成功并交付客户上车验证，还有小批量销售。
在电动汽车主驱用大功率MOSFET产品方面，中瓷电子产品主要面向比亚迪，其他客户也在密切接触、合作协商、送样验证等阶段。据悉，中瓷电子目前相关产能正在建设中，已具备一定生产能力，预计今年底月产能达到5000片，2024年预计月产能在5000-10000片。
另外，该公司募投项目已进行初期投资，产能逐步建设，近两年预期相关产品产能可被下游客户消化。随着芯片量产和模块小批量供货，中瓷电子在电动汽车、工业控制等领域有望获得更多市场机会，进一步提升其在碳化硅功率器件市场的竞争力。（集邦化合物半导体竹子整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。