环球晶董事长徐秀兰近日表示，主流6英寸碳化硅（SiC）衬底的价格已经稳定，但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸SiC衬底，尽管2025年对SiC的市场预期仍较为保守，但2026年的前景似乎更为乐观。
据TrendForce集邦咨询研究数据指出，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiCPowerDevice市场规模有望达到91.7亿美金。
SiC目前有两大应用市场，一是电动车逆变器、充电桩、太阳能发电、直流电网中取代硅基IGBT，二是以SiC衬底承载GaN做5G基地台的RF功率放大。而在SiC产业链中，衬底是最关键的原材料，也是最具技术含量和含金量的领域，SiC元件成本中，衬底至少占一半。
从国际市场看，意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、Rohm、Onsemi占据大部分市场，中国市场则有天科合达、天岳先进、瀚天天成、三安光电、华润微等。
外媒消息表示，2024年市场供过于求影响全球SiC行业，价格跌破生产成本，扰乱了全球供应链。徐秀兰透露，价格已暴跌超过50%，达到前所未有的低点。尽管6英寸SiC衬底价格现已稳定，但短期内复苏尚不明显。
而在设备端，徐秀兰表示，碳化硅长晶设备与切割、研磨、抛光等加工设备的技术也在不断进步。新型长晶设备能够提高碳化硅晶体的生长速度和质量，而先进的加工设备则能提升衬底的平整度和表面质量，进一步满足高端芯片制造的要求。（集邦化合物半导体整理）
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