据《重庆新闻联播》报道，在西部（重庆）科学城，总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段，其中，8英寸SiC衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。
据了解，三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆（芯片）厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂，预计总投资约300亿元人民币，将整合8英寸车规级SiC衬底、外延、芯片的研发与制造。
其中，晶圆厂由三安光电与意法半导体合资32亿美元成立，双方为此在重庆设立合资公司安意法半导体有限公司（注册资本为6.12亿美元），三安光电和意法半导体分别持股51%和49%。
日前，三安光电在半年报中披露，安意法生产设备将在今年Q3陆续进场安装和调试，预计11月份将实现通线，通线后将逐步释放产能，未来将主要生产8英寸SiC外延和芯片，销售给意法半导体。合资公司规划产能将于2028 年达产，达成后产能为8英寸车规级SiC MOSFET功率芯片48万片/年，面向新能源汽车主驱逆变器、充电桩和车载充电器等应用。
作为配套，三安光电在重庆同步建设一座8英寸衬底厂，并为此设立了重庆三安半导体有限责任公司（湖南三安的全资子公司），注册资本为18亿元。该工厂预计总投资额为70亿人民币，占地276亩，达产后预计8英寸SiC衬底48万片/年。据半年报披露，该衬底厂预计8月底将实现点亮通线。未来，重庆三安将匹配生产碳化硅衬底供应给安意法
值得一提的是，意法半导体正在推进旗下晶圆厂从6英寸向8英寸过渡，而湖南三安项目的加快建设将一定程度上助推意法半导体加速向8英寸转型。
根据6月消息显示，意法半导体计划明年第三季度意大利卡塔尼亚的SiC晶圆厂将过渡到8英寸；新加坡的晶圆厂随后也将过渡到8英寸；而在中国的合资工厂安意法则预计明年第四季度开始生产8英寸SiC晶圆。按照最新进度，8英寸晶圆厂预计年底通线后将逐步释放产能，而8英寸衬底厂提前到本月底投产，表明湖南三安已提前做好准备，匹配后续安意法对衬底材料的需求。
市场需求方面，根据TrendForce集邦咨询《2024 全球SiC Power Device市场分析报告》显示，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。TrendForce集邦咨询预测，2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。
未来，随着两座工厂产能的释放以及下游需求的持续增长，湖南三安的SiC业务有望实现产销两旺，带动三安光电整体业绩进一步增长。就今年上半年来看，三安光电实现营业收入76.79亿元，同比增长18.70%；归属于上市公司股东的净利润为1.84亿元，同比增长8.44%。其中，湖南三安实现营收5.12亿元，净利润为299万元。（集邦化合物半导体Jenny整理）
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