4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。
8英寸N型SiC复合衬底（source：青禾晶元）
青禾晶元介绍，对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益，因此，SiC晶圆走向8英寸是业界公认的发展趋势。
但SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。而先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本的降低。
青禾晶元认为，本次突破8英寸SiC键合衬底制备，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。
据悉，半导体异质集成技术可以提高碳化硅良率，而青禾晶元则是国内少数几家使用该技术大幅提高碳化硅良率的公司之一，极具市场稀缺性。
青禾晶元成立于2020年7月，公司聚焦于新型半导体材料的研发生产制造，产品主要面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块集成等应用领域，现已完成晶圆键合设备、Chiplet设备及功率模块键合设备等多款设备的开发及量产，以及SiC、POI等键合集成衬底材料的规模化量产。
值得一提的是，青禾晶元还拥有国内首条新型复合衬底量产线。2023年5月19日，青禾晶元天津新型键合集成衬底量产示范线通线活动在滨海高新区圆满举办。该产线是国内首条新型复合衬底量产线，于2022年6月签约落户，总投资9.9亿，首期产能规模3万片，未来计划达到15万片；衬底尺寸目前以6英寸为主，未来会转到8英寸。（集邦化合物半导体 Winter整理 ）
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