2月4日，英飞凌发布新闻稿宣布，新能源汽车OBC车载充电机头部企业威迈斯采用了其CoolSiC混合分立器件，集成了TRENCHSTOP 5快速开关IGBT和CoolSiC肖特基二极管，用在威迈斯下一代6.6kW OBC/DCDC 车载充电机上。
据介绍，英飞凌的SiC器件采用D2PAK封装方案，结合超快TRENCHSTOP 5 IGBT器件和半额定续流SiC肖特基势垒二极管，可匹配硬开关和软开关拓扑结构。
CoolSiC混合分立器件在50 kHz以上转换速度下具有超低的开关损耗，而且，第五代CoolSiC肖特基二极管的抗浪涌电流稳健性得到了提升，最大程度提高了器件的稳定性。此外，SiC二极管所用的扩散焊技术有助于改善小尺寸芯片封装的热阻，提高电源开关性能。
据了解，OBC作为新能源汽车的“小三电”之一，也是决定新能源汽车充电功率和效率的关键部件之一，而基于SiC的功率器件具有低电容、低导通电阻、高耐温耐压等优势，可以减少整体元器件数量并提高效率，缩小OBC的尺寸、重量、成本和复杂性，符合OBC未来发展的趋势。因此，目前OBC厂商正在积极导入SiC技术，提升产品综合竞争优势。
此前，威迈斯已与英飞凌建立了合作关系，而除了英飞凌之外，威迈斯的SiC器件供应商还有三安光电等其他厂商。同样地，国内其他的OBC供应商如富特科技、欣锐科技也先后与Wolfspeed、英飞凌、安森美等国际SiC大厂达成了合作。在相关厂商的积极推动下，SiC在OBC/DCDC等车载场景的应用有望加速成熟，反推成本的下降。（集邦化合物半导体Jenny编译）
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