12月25日，三安光电在互动平台表示，截至2023年上半年末，公司6英寸碳化硅（SiC）产能为1.5万片/月，预计2023年末至2024年初，产能规划扩产至1.8万-2万片/月。三安光电称，公司8英寸SiC产品已进行了小批量试生产，衬底产品良率水平居国内前列且稳步提升。
据悉，湖南三安主导三安光电旗下SiC/GaN电力电子业务，具体以SiC为主，GaN目前占比较小。
早在2020年7月，总投资达160亿元、占地面积达1000亩的湖南三安半导体项目正式开工。湖南三安半导体主要建设具有自主知识产权的衬底（SiC）、外延、芯片及封装产业生产基地，形成长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的SiC全产业链。项目建成达产后，将形成约36万片/年的产能。
上半年，得益于SiC市场需求强劲，湖南三安整体业绩保持增长趋势，实现营收5.82亿元，同比增长178.86%；净利润为3.32亿元，同比增长266.99%。
为推进湖南三安的业务发展，今年8月，三安光电决定以自有资金10亿元对湖南三安增资，后者注册资本由20亿元增加到30亿元。
8英寸方面，湖南三安进展较快。今年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展会上首发8英寸SiC衬底，正式切入8英寸衬底领域；今年10月，湖南三安披露，8英寸SiC衬底已完成开发，并进入小批量生产及送样阶段；近期，湖南三安将重点放在良率提升上，通过设备调试与工艺优化，推进量产进程。
与此同时，湖南三安与意法半导体合资成立的三安意法半导体（重庆）有限公司承建的8英寸SiC器件厂项目已获批通过，预计将于2025年完成阶段性建设并投产，2028年进入达产阶段。为保障该项目顺利实施，三安光电拟在重庆独资设立子公司生产SiC衬底作为配套，预计投资总额70亿元。
近年来，国内SiC厂商在扩产方面动作频频。衬底方面，例如：天岳先进拟投资20亿元用于募投项目SiC半导体材料项目，达产后将新增产能约30万片/年；露笑科技2022年7月完成25.67亿元增发用于推进SiC项目，项目完成后将形成年产24万片6英寸导电型SiC衬底片的产能。
器件方面，例如：士兰微正在推进定增事项，其中7.5亿元用于SiC功率器件生产线建设项目，达产后将新增年产14.4万片SiC MOSFET/SBD芯片的产能；振华科技也正在推进定增事项，其中包括建设一条12万片/年产能的6英寸Si/SiC基功率器件制造线。（集邦化合物半导体Zac整理）
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